1) PAS
[英][pɑ:] [美][pɑ]
正电子湮灭能谱技术
2) Positron annihilation lifetime spectra
正电子湮没寿命谱技术
3) positron annihilation technique
正电子湮没技术
1.
Applications of positron annihilation technique in polymer science;
正电子湮没技术在高聚物中的应用
2.
The crystallization process of amorphous fast ionic conductor 40Li2O-12P2O5-48V2O5 is investigated with the positron annihilation technique, differential thermal analysis and X-ray difraction.
用正电子湮没技术、差热分析和X射线衍射等方法研究了40Li_2O-12P_2O_5-48V_2O_5非晶快离子导体的晶化过程。
4) Positron annihilation
正电子湮灭
1.
The size and numerical concentration of free volume of HDPE/CB composites were estimated by means of positron annihilation lifetime measurement, in which annihilations of positron and positronium were assessed.
对掺杂了 2 5份 (phr)导电炭黑 (CB)的样品进行了正电子湮灭寿命谱的变温测量 ,在玻璃化转变温度以上 ,随着温度的增加 ,自由体积的大小线性增加 ,在玻璃化转变温度以下 ,自由体积的大小基本不变。
2.
We have investigated the electrically active deep level defects in n-type 6H silicon carbide through the use of a series of complimentary spectroscopic techniques such as deep level transient spectroscopy, positron annihilation spectroscopy and photoluminescence.
文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 。
3.
Long afterglow SrAl2O4:Eu,Dy phosphor was prepared by the traditional ceramic synthesis method, and investigated its luminescent mechanism and properties by the thermolumi-nescence and positron annihilation method.
利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究。
5) positron annihilation lifetime spectroscopy
正电子湮灭寿命谱
1.
The sulfonated polyetherketone with cardo group(SPEK-C) films made by different sulfonation degrees and solvent evaporation shows the different microstructure by positron annihilation lifetime spectroscopy(PALS) and atomic force microscopy(AFM).
利用正电子湮灭寿命谱(PALS)法及原子力显微镜(AFM),研究了磺化及溶剂蒸发对(磺化)酚酞侧基聚芳醚硐(SPEK-C)膜制备的影响。
6) Slow-positron annihilation
慢正电子湮灭
补充资料：正电子湮没谱学
一种研究物质微观结构的方法。正电子是电子的反粒子,两者除电荷符号相反外,其他性质（静止质量、电荷的电量、自旋）都相同。正电子进入物质在短时间内迅速慢化到热能区,同周围媒质中的电子相遇而湮没,全部质量(对应的能量为2meс2)转变成电磁辐射──湮没γ光子（见电子对湮没）。50年代以来对低能正电子同物质相互作用的研究，表明正电子湮没特性同媒质中正电子-电子系统的状态、媒质的电子密度和电子动量有密切关系。随着亚纳秒核电子学技术、高分辨率角关联测量技术以及高能量分辨率半导体探测器的发展，可以对正电子的湮没特性进行精细的测量，从而使正电子湮没方法的研究和应用得到迅速发展。现在，正电子湮没谱学已成为一种研究物质微观结构的新手段。
实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
正电子寿命谱方法 通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。测量设备类似核能谱学中常用的符合系统，称之为正电子寿命谱仪（见彩图），图1是快-快符合系统方框图。谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右，最好的已达1.7×10-10s。
22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的"死亡"，并作为终止信号。两个信号之间的时间就是正电子的寿命。在凝聚态物体中，自由正电子湮没的平均寿命在(1～5)×10-10s范围内。
双γ角关联方法 图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。正电子源通常为64Cu、22 Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。该方法要求高精度的机械设备和强源(几十毫居里的点源)，典型的角分辨率为0.5mrad。有些工作采用多探测器系统可作两维动量分布的测量。
测量多普勒增宽谱 使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器，测量湮没辐射的能谱。能量分辨率可达1keV（对85 Sr,514keV的γ射线）左右。这种方法的优点是只需用几微居里的弱源，获取数据快，适用于动态研究。缺点是获取的数据粗糙，对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好，典型情况下差四倍。
正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷（空位、位错和辐照损伤等），固体中的相变，金属有序－无序相变等。
在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应，鉴定有机物结构中的碳正离子，研究聚合物的微观结构等。在生物学中，研究生物大分子在溶液中的结构。医学上，用正电子发射断层扫描仪，可得到人的心脏、脑和其他器官的断面图像，研究它们的新陈代谢过程，作出疾病的早期诊断及肿瘤的早期发现。（见彩图）
电子偶素作为惟一的轻子体系，是验证量子电动力学的一个理想的体系。
实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
正电子寿命谱方法 通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。测量设备类似核能谱学中常用的符合系统，称之为正电子寿命谱仪（见彩图），图1是快-快符合系统方框图。谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右，最好的已达1.7×10-10s。
22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的"死亡"，并作为终止信号。两个信号之间的时间就是正电子的寿命。在凝聚态物体中，自由正电子湮没的平均寿命在(1～5)×10-10s范围内。
双γ角关联方法 图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。正电子源通常为64Cu、22 Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。该方法要求高精度的机械设备和强源(几十毫居里的点源)，典型的角分辨率为0.5mrad。有些工作采用多探测器系统可作两维动量分布的测量。
测量多普勒增宽谱 使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器，测量湮没辐射的能谱。能量分辨率可达1keV（对85 Sr,514keV的γ射线）左右。这种方法的优点是只需用几微居里的弱源，获取数据快，适用于动态研究。缺点是获取的数据粗糙，对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好，典型情况下差四倍。
正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷（空位、位错和辐照损伤等），固体中的相变，金属有序－无序相变等。
在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应，鉴定有机物结构中的碳正离子，研究聚合物的微观结构等。在生物学中，研究生物大分子在溶液中的结构。医学上，用正电子发射断层扫描仪，可得到人的心脏、脑和其他器官的断面图像，研究它们的新陈代谢过程，作出疾病的早期诊断及肿瘤的早期发现。（见彩图）
电子偶素作为惟一的轻子体系，是验证量子电动力学的一个理想的体系。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条