1) diamond film electrode
金刚石膜电极
1.
Electrochemical treatment of pollutants by using diamond film electrode;
金刚石膜电极电化学处理污染物的研究
2.
By cyclic voltammetry,the paper researches the size of potential window about B-doped diamond film electrode in the KCL potential solution.
通过循环伏安法研究了掺硼金刚石膜电极在KCL溶液中的电势窗口大小,结果表明电势窗口可达3。
3.
Using the boron-doped diamond film electrode as anode in the electrolyte,by the control some relatively conditions,it could generate large amounts of hydroxyl radicals and other powerful oxidant,which led to a very effective oxidation process,decomposed the organic contamination to little molecule,even CO2 and H2O.
利用硼掺杂金刚石膜电极在电解液中作阳极,通过控制各种相关条件使电解液中产生大量氢氧自由基和其他强氧化物质,将有机污染物氧化分解成小分子,甚至是CO2和H2O;同时配合专用清洗剂,极好地去除材料表面及狭缝中的固体颗粒和金属杂质,有效实现了被清洗表面的高度洁净化。
2) boron-doped diamond thin film electrode
金刚石薄膜电极
1.
In this paper, the influence of boron-doped diamond thin film electrodes in degradation of organic pollutants under different conditions was studied to confirm the fitting elec.
通过实验研究了钽基金刚石薄膜电极在不同电解工艺条件下对有机物降解脱除的影响,确定了适宜的电解操作条件;又考察了在纳滤过程中的各种影响因素对膜过程的影响,探索出合适的纳滤操作条件;根据电化学氧化和纳滤的实验结果,并初步设计了该废水的处理流程。
3) triecane dicarboxylic acid
钽基金刚石薄膜电极
4) boron doped diamond film electrode
掺硼金刚石膜电极
1.
The physical and electrochemical behaviors of the boron doped diamond film electrode prepared by chemical vapor deposition technique were studied.
研究了化学气相沉积法 (CVD)制备得到的掺硼金刚石膜电极的物理性质和电化学性能 。
5) Boron-Doped Diamond (BDD)
掺硼金刚石膜电极(BDD)
6) boron-doped diamond film electrode
硼掺杂金刚石薄膜电极
1.
Electro-catalytic degradation of wastewater containing cyclohexanone using boron-doped diamond film electrode
采用循环伏安法、稳态极化法等对硼掺杂金刚石薄膜电极的电化学性能及电氧化降解含环己酮模拟废水的电极过程进行了研究,考察了电流密度、支持电解质浓度、起始环己酮浓度和pH值等因素对硼掺杂金刚石薄膜电极电氧化降解含环己酮模拟废水效果的影响。
补充资料：金刚石膜
分子式：
CAS号：
性质：用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高，达HV100GPa，热导率为100W·cm-l·K-1，为铜的5倍，禁带宽度为6.6～8.0eV，室温电阻率高达1016Ω·cm，通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜，以制备金刚石器件。
CAS号：
性质：用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高，达HV100GPa，热导率为100W·cm-l·K-1，为铜的5倍，禁带宽度为6.6～8.0eV，室温电阻率高达1016Ω·cm，通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜，以制备金刚石器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条