1) CdTe/SiO_2 complex
CdTe/SiO2复合物
2) CdTe /MCM-41
CdTe/MCM-41复合物
3) Compound CdTe
CdTe化合物
4) Fe_2O_3-SiO_2 composite oxide
Fe2O3-SiO2复合氧化物
5) CeO_2-SiO_2 mixed oxide
CeO2-SiO2复合氧化物
6) SnO_2-SiO_2 complex oxide
SnO2-SiO2表面复合物
补充资料:cadmium telluride CdTe
分子式:
CAS号:
性质:周期表第II,VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构,晶格常数0.6477nm,为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
CAS号:
性质:周期表第II,VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构,晶格常数0.6477nm,为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条