1) Si oxidation lines
Si氧化线
1.
According to the results, the best experiment conditions of getting high-quality Si oxidation lines: bias voltage of 8V and scanning speed of 1 μm/s.
研究了在不同的偏置电压和扫描速度下加工的Si氧化线的一致性和均匀性,得到了加工高质量的Si氧化线的实验条件为:偏置电压8V,扫描速度1 μm/s。
2) Si oxidation points
Si氧化点
3) Al-Si oxide
Al-Si氧化物
4) silicon rich silicon oxide
富Si氧化硅
1.
Room temperature photoluminescence (PL) has been observed from Er doped silicon rich silicon oxide films grown by magnetron sputtering.
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 。
5) Ti-Si dioxide composite
Ti-Si复合氧化物
6) Zr-Si mixed oxide
Zr-Si复合氧化物
补充资料：福建南平铝厂铝型材氧化着色生产线
福建南平铝厂铝型材氧化着色生产线
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