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1)  material property
材料性质
1.
In this research we used the DRM paradigm to see if there is any effect of experience,material property and processing level on false memory.
本实验采用DRM研究范式,考察经验、材料性质和加工水平三个方面对虚假记忆的影响。
2)  material properties
材料性质
1.
The relations between the effect of interfacial friction between the specimen and bars in the split Hopkinson pressure bar(SHPB) technique and the tested material properties are studied experimentally and theoretically in this paper.
B炸药、PBX-HMX(97%)炸药、6061—T6金属铝合金五种材料试样,从实验和理论两方面,对分离式霍普金森压杆(SHPB)实验技术中的端面摩擦效应与材料性质间的关系进行了研究。
3)  materials and qualities
质性材料
4)  material property
物料性质;材料性质
5)  Light magnetic material
轻质磁性材料
1.
One focus of this paper is to synthesize a kind of light magnetic material based .
并将这种轻质磁性材料用在磁流变液和吸波涂层中,以此来探讨该种材料的应用情况。
6)  dynamic properties of materials
材料动态性质
补充资料:半导体材料的光学性质


半导体材料的光学性质
optical property of semiconductor

bondaotl eol}旧0 de guongxue xjngzhl半导体材料的光学性质(optieal property ofsemiconduetor)半导体材料中原子、电子与光子的相互作用涉及到半导体材料对光的透射、吸收和发光。半导体材料的光学性质与半导体材料的禁带宽度E:及材料中的杂质原子种类和状态密切相关,导致各类半导体材料在化学性质上有很大差异。 透射可见光的光子能量在1一3eV范围内,因此对于E:>3eV的晶体(大多是绝缘体)可见光将不被吸收,这样的材料是透明或接近透明的。对于E:小的晶体,例如金属的E:一o,透入的可见光将全部被吸收,材料不透明。半导体材料的Eg在接近3eV时呈半透明状,Eg小的半导体材料对可见光不透明,但大部分半导体对于波长较长的红外光则是透明的。 吸收光照射到半导体上,除部分反射外,一部分将透入半导体。光子能量凡>E,时,价带中的电子吸收后,可激发到导带中去,在价带中留下空穴。这种由光照引起的载流子浓度的增加,导致电导率的增加,称为光电导。△,~q(△n产n+△P产p),式中,为电导率,△n和△P为光注入的非平衡载流子浓度;q为电子电量;群。和产。分别为电子和空穴迁移率。光照引起本征激发,称为本征光电导,光照引起杂质激发,称方杂质光电导。根据这一原理可制作光敏电阻。 在弱光照的条件下,少数载流子可增加几个数量级,而多数载流子增加不多。在停止光照后,增加的少数载流子将被复合掉。非平衡少数载流子从产生到复合掉的平均时间:称为少子寿命。显然如果禁带中存在着深能级,又称复合中心,将大大增加复合率和产生率,会使它变小。 发光光照或加以电场的作用,可以使半导体材料中的电子处于激发态,这些处于激发态的电子必然会向较低的能级跃迁,并以光辐射的形式释放出能量,这就是半导体材料的发光现象。由于硅、锗的能带结构属于间接能隙,导带底不在叉一。处,因此在复合过程中必须通过声子和复合中心进行,这样的复合一般是非辐射性的。但砷化稼与硅、锗不同,它的导带底和价带顶都位于叉~o处,是直接能隙材料,导带中的电子可以直接与价带中的空穴复合发射出能量w一E:的光子。按激发的方式,半导体发光可分为场致发光(电致发光)或光致发光。发光二极管一般采用场致发光。 (施钵行)
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