1) Ar~+ sputtering
氩离子轰击
1.
To make uniformly sized and spaced Ag clusters, the HOPG surface was modified by thermal oxidization and Ar~+ sputtering before Ag deposition, respectively.
本文分别采用加热氧化和氩离子轰击来改变HOPG衬底的表面结构,并用扫描隧道显微镜(STM)研究了银在它们上面的生长过程。
2) circulated argon ion bombardment
循环氩离子轰击镀
1.
Aluminum film on uranium is prepared using magnetron sputtering with and without circulated argon ion bombardment process.
以磁控溅射沉积方法 ,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜。
3) Ar-bombardment
氩原子轰击
1.
A new ion S-N-C co-diffusion plus Ar-bombardment treatment process for the Starer crankshaft was introduced, with a specially designed attachment to control the deformation during the process.
介绍了斯太尔曲轴离子硫氮碳共渗+氩原子轰击+离子硫氮碳共渗快速深层离子渗氮工艺;用专用吊具对曲轴处理过程中的变形进行控制。
4) Ion bombardment
离子轰击
1.
Study on the ion bombardment for surface treatment of titanium-base pH electrode;
钛基pH电极表面离子轰击处理的研究
2.
The results show that under 3-7 keV Ar+ ion bombardment, the compositions of both NiaAla and NiAl3 change greatly and the Ni concentration is much higher than the corresponding stoichiometric one.
在能量为3,5和7 keV的氩离子轰击下,对激冷Ni-50％Al(质量分数)合金薄膜进行减薄,用配备有超薄窗口能谱仪的高分辨电镜观察分析了减薄后样品中两种合金相Ni2Al3和NiAl3的结构和成分变化。
3.
Especially in the condi- tion of hollow cathode dischage, the ion bombardment enhances ionization of oxygen, promotes the oxygen permeation and facilitates the formation of the oxide of low valence states of Ti.
特别是，在空心阴极辉光放电条件下，离子轰击会加强氧的离子化，促进渗氧，有助于低价态氧化物的形成。
5) argon bombardment
氩轰击
1.
A new technique of ion S-N-C co-diffusion with argon bombardment was presented for HSS .
介绍了高速钢离子硫氮碳共渗复合氩轰击处理工艺,对氩轰击温度、时间对共渗层的影响进行了初步研究。
6) Ar ion bombardment
Ar离子轰击
1.
X-ray photoelectron spectroscopy analysis of high oriented pyrolytic graphite surface structural changes induced by Ar ion bombardment;
Ar离子轰击高定向石墨表面结构变化的X射线光电子能谱分析
补充资料：电子轰击离子源
分子式：
CAS号：
性质：又称电子轰击离子源(electron impact ion source)，常缩写为EI1源(EI1 source)。质谱分析中最常用的离子源，由炽热灯丝发射的电子束，经电离室飞向阳极，被气化的试样分子流在约10-2Pa压力下进入离子源，与能量约为70eV的电子束作用，发生约10～20eV的能量交换，形成包括正离子在内的各种产物。正离子由一个小的推斥(或拉出)电位推出离子源，被加速后送入质量分析器。大部分试样分子和电离产物被离子源的真空泵抽走。
CAS号：
性质：又称电子轰击离子源(electron impact ion source)，常缩写为EI1源(EI1 source)。质谱分析中最常用的离子源，由炽热灯丝发射的电子束，经电离室飞向阳极，被气化的试样分子流在约10-2Pa压力下进入离子源，与能量约为70eV的电子束作用，发生约10～20eV的能量交换，形成包括正离子在内的各种产物。正离子由一个小的推斥(或拉出)电位推出离子源，被加速后送入质量分析器。大部分试样分子和电离产物被离子源的真空泵抽走。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条