1) cooling crystallization peak temperature
冷结晶峰温
2) Crystallization peak temperature
结晶峰温度
3) peak crystallizing temperature
结晶峰值温度
4) double crystallization endotherm
结晶双峰
6) peak junction temperature
峰值结温
1.
Using this model, we can correct the electrically mesuured average temperature on the surface of the chip to the peak junction temperature.
描述了功率晶体管峰值结温电学测量技术中采用的三维两层结构模型,给出其解析解及计算程序框图,用此模型将电学测量的平均结温修正为峰值结温,修正可达10～30℃, 以红外微热像仪测量的热场为标准,峰值电学法的误差小于8％,标准电学法的误差则可达50％。
2.
The junction-temperature distribution of the emitter region of the transistors,peak junction temperature,and minimum junction temperature are briefly shown and the average junction temperature is calculated through the one-dimension temperature distribution curves.
一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温。
补充资料：高纯铝(LO_(3))冷变形和再结晶过程显微组织
高纯铝(LO_(3))冷变形和再结晶过程显微组织
历史·金属材料高纯铝(L【】。)冷变形卸再结晶过程显缴细甥玲 轧制 样黑 明放大倍数260。c保温30分钟后组织280。c保温30分钟后组织3sO。c保温30分钟后组妇480。c保温30分钟后组织5s0。c保温30分钟后组蛔再结晶刚开始再结晶晶粒增多再碧晶基本完威晶粒开始长走晶粒急刷长大 # 凄 b 极‘阴两牝量拙光形解振∞变电煸×
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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