2) halide ion
卤素离子
1.
The growth kinetics and the stability of synergistic films of benzotriazole (BTA) and halide ion (X -) were investigated by bulk acoustic wave (BAW) method.
采用体声波传感技术就卤素离子与铜缓蚀剂——苯骈三氮唑( BTA)协同成膜的动力学及相应复合膜的稳定性进行了研究 。
2.
The electrochemical effect of impurity halide ion in Ti/nanoTiO2-Pt Electrode and ion liquid(BF4)is studied by cyclic voltammetry and linear scanning method,and was also compared with Ti/nanoTiO2 and graphite electrode.
采用电化学合成法和电沉积法制备高活性纳米TiO2-Pt修饰电极(Ti/nanoTiO2-Pt电极),用循环伏安法和线性扫描法研究了卤素离子在Ti/nanoTiO2-Pt电极上的电化学行为,以及离子液体([EMI]BF4)中卤素离子的电化学行为,并与Ti/nanoTiO2和石墨电极进行比较。
3.
A new double indicator electrodes potentiometric precipitation titration method coupled with multivariate calibration for the simultaneous determination of mixed halide ions was developed.
建立一种可同时测定混合卤素离子的电位滴定新方法。
3) halide ions
卤素离子
1.
The differences of corrosion caused by halide ions on iron in alkaline media were studied by electrochemical metheds.
用电化学方法研究了卤素离子引起铁腐蚀的差异。
2.
This effect can be explained by the retartation of the formation ofamorphous iron oxide by the adsorption of halide ions and forming soluble iron complexes.
这种作用可以由卤素离子的吸附阻止无定形水合氧化铁的生成且生成可溶性络离子得到初步解释。
3.
The interaction of Rhodamine B(RhB) and gold colloid surface was studied by surfaceenhanced Raman spectroscopy(SERS) with nearinfrared(NIR) excitation in the presence of the halide ions(Cl-,Br-,I-).
在金纳米胶体体系中采用近红外激光(1064nm)激发,研究了卤素离子(Cl-、Br-、I-)对激光染料 罗丹明B(RhB)分子近红外表面增强拉曼散射光谱(NIR SERS)的影响,给出了表面增强拉曼谱随卤素离子加入顺序的不同的变化过程。
4) halide ion recognition
卤离子识别
5) Halate ion
卤酸根离子
6) halogen anions
卤素阴离子
补充资料：卤离子导体
分子式：
CAS号：
性质：具有高的卤离子电导率的一类快离子导体。例如PbF2，室温下，其离子电导率很低，随着温度上升，它的电导率迅速升高，在500℃达到5S/cm。类似的材料有SrCl2和CaF2等。这类材料都具有萤石结构，其中卤离子形成初基立方体，而阳离子位于交替的立方体体心位置，作为导电离子的卤离子可以利用剩余立方体的体心位置进行移动，形成较高的导电率。
CAS号：
性质：具有高的卤离子电导率的一类快离子导体。例如PbF2，室温下，其离子电导率很低，随着温度上升，它的电导率迅速升高，在500℃达到5S/cm。类似的材料有SrCl2和CaF2等。这类材料都具有萤石结构，其中卤离子形成初基立方体，而阳离子位于交替的立方体体心位置，作为导电离子的卤离子可以利用剩余立方体的体心位置进行移动，形成较高的导电率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条