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1)  solar light/TiO_2-Fenton
日光/TiO2-Fenton
1.
The following are the optimum treatment conditions by using Fenton and solar light/TiO_2-Fenton,respectively: for Fenton,mole ratio of Fe~(2+)and H_2O_2 is 1∶6,pH is 3.
本实验分别采用Fenton试剂及日光/TiO2-Fenton试剂处理毒性大、难生物降解的吲哚废水。
2)  UV/Fenton/TiO_2
UV/Fenton/TiO2
1.
Treatment of phenol-containing wastewater was studied with UV/Fenton/TiO_2.
研究了在UV/Fenton/TiO2催化作用下,对含酚废水的处理情况,同时还与单独用Fenton试剂和UV/TiO2处理情况作了对比。
3)  photo-Fenton
光Fenton
1.
Oxidation degradation of cationic red GTL by photo-Fenton;
光Fenton氧化降解染料阳离子红GTL
2.
The degradation of cationic red GTL simulated wastewater by heterogeneous photo-Fenton reaction using Ce-Fe/Al2O3 catalyst was studied.
利用Ce-Fe/A l2O3为催化剂的非均相光Fenton体系降解阳离子红GTL模拟废水,考察了H2O2浓度、催化剂用量、初始pH值及不同工艺过程对降解效果的影响,通过紫外-可见漫反射光谱、红外光谱、XPS手段研究铁在反应中的价态变化。
4)  photo-Fenton
光-Fenton
1.
Treatment of wastepaper pulp wastewater by heterogeneous photo-Fenton process
非均相光-Fenton法处理废纸制浆废水
2.
The adsorbed Rhodamine B can quickly and effectively degrade the photo-Fenton reaction.
214×106 L/mol,被吸附的罗丹明B能快速有效地进行光-Fenton降解反应。
5)  Fenton and Fenton-like photocatalytic oxidation
Fenton及类Fenton光催化
6)  photo-Fenton
光助Fenton
1.
Study on Phenolic Wastewater Treatment Using Photo-Fenton Reagent;
水体中酚类有机污染物的光助Fenton降解技术研究
2.
The study progress on mechanism and kinetics of or-ganic pollutants degradation by photo-Fenton processes were summarized,and the main problems and development tendency of photo-Fenton processes have been put forward as well.
综述了光助Fenton氧化降解有机污染物的反应机理及其动力学的研究现状及进展,提出了该技术有待解决的问题和实际工业应用的发展动向。
3.
The photo-Fenton,coagulation photo-Fenton, ozone-actived carbon and ultraviolet-ozone were carriedout to treat the effluent which was discharged from biological treatment process.
本研究采用光助Fenton、混凝沉淀-光助Fenton、臭氧活性炭、UV/O_3方法处理生化处理后的垃圾渗滤液。
补充资料:CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式:
CAS号:

性质:在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存,性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅,加入少量改性添加剂,经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品,也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙,用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等,以确保两晶相共存。主要介电性能为:介电常数80~110,介质损耗角正切值(0.8~2.5)×10-4,介电常数温度系数(-450~+550)×10-6/℃。抗电温度(45~55)kV/mm,电阻率(1011~1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。

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