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1)  Si_3N_4-SiC materials
Si_3N_4-SiC材料
1.
In this paper, Si_3N_4-SiC materials which have different content of Si_3N_4 were prepared.
实验结果表明,低Si_3N_4含量(13%)的Si_3N_4-SiC材料具有良好的抗冰晶石融盐腐蚀的性能,使其做为铝电解槽内衬材料成为可能。
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2)  SiC(w) /Si3N4 composite
SiC(W)/Si_3N_4复合材料
3)  Si_3N_4-SiC composite
Si_3N_4-SiC复合材料
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4)  Silicon nitride-silicon carbide refractories
Si_3N_4-SiC耐火材料
5)  SiC material
SiC材料
1.
An review of research status,key technologies and developing trends on SiC material and devices are integrated introduced in this paper.
综述了SiC材料及器件的研究现状、关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距。
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6)  SiC
SiC材料
1.
SiC, as a significant "third generation" material, gets highly attention in the "extreme electronics" study, because of the excellent performance under high temperature, high power and high radiation condition.
SiC材料是第三代宽禁带半导体材料的代表，因其在高温、高功率、高辐射条件下的优异性能，而成为“极端电子学”中最重要的研究对象之一；同时SiC材料又是除了Si材料之外唯一能够通过直接热氧化生长氧化绝缘膜的半导体材料。
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补充资料：无晶界玻璃相的无压烧结Si_(3)N_(4)材料


无晶界玻璃相的无压烧结Si_(3)N_(4)材料


翼 无晶界玻璃相的无几烧结siN材料
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