1) dislocation motion
位错运动
1.
To investigate the dislocation motion characteristics in low-temperature(LT) buffer during the growing process of lattice mismatched heterostructure,a 60° dislocation dipole and 5 types of ring-shaped hexagonal vacancy defects with their different relative positions to the dislocation are modeled in a Si crystal via molecular dynamics simulation.
为了研究晶格常数不匹配的异质结结构(Si1-xGex/Si)在生长过程中低温缓冲层内的位错运动特性,在Si晶体中建立了60°位错偶极子,以及相对于位错不同空间位置的5种六边形环状空位缺陷模型。
2.
To get the screw dislocation motion characteristic in the growing process of lattice mismatched heterostructures,a pair of screw dislocations is introduced in a full periodic Si crystal via dislocation dipole modeling.
通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力,并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系。
3.
We investigate the characteristics of dislocation motion as influenced by defects in a low temperature buffer during the growth of lattice-mismatched heterostructures(SiGe/Si).
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构。
2) dislocation movement
位错运动
1.
Meanwhile,the addition of Ca/Y and further impediment of the dislocation movement due to more .
1%Y(质量分数,下同)变质处理后的细晶强化和固溶强化作用提高了合金的拉伸强度和延伸率,同时由于Ca/Y元素的加入及晶界数量增多对位错运动的进一步阻碍作用降低了合金的应变振幅效应,从而降低了其阻尼性能;研究还发现Mg-0。
3) kinetics of dislocation motion
位错运动动力学
4) dextral slip and offset
右旋位错运动与位错量
5) dislocation velocity
位错运动速度
6) dislocation emission and motion
位错发射和运动
1.
In situ tensile test in TEM showed that a dislocation-free zone (DFZ) formed ahead of a loaded crack tip when dislocation emission and motion reached equilibrium under keeping constant displacement, and a microcrack initiated after the dislocation emission and motion developed to a certain condition through increasing load.
结果表明，氢能促进位错的发射、增殖和运动 和未充氢纯Ｎｉ相比，充氢试样在更低的外应力下位错就会发射和运动，当氢促进的位错发射和运动到临界条件时就会使氢致裂纹形核、扩展，导致低应力脆断。
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
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参考词条