1) Semi-solid Heat Treatment
半固态热处理
1.
Evolution of Microstructure of AZ91D Magnesium Alloy in Lost Foam Casting under Vibration and Semi-solid Heat Treatment Condition;
消失模铸造AZ91D振动凝固及半固态热处理组织的演变
2) Semi-solid Isothermal Treatment
半固态等温热处理
1.
Semi-solid isothermal treatment is thought as a potential technology in the manufacturing non-dendritic structure alloy slurry, the research of this technology is helpful to rich the theory of semi-solid metal forming and accelerate the application of this technology.
半固态等温热处理作为一种比较有发展前途的非枝晶组织坯料制备方法,对其展开研究将有助于丰富半固态金属成形理论和加速该技术的工业化应用。
3) semi-solid isothermal heat treatment
半固态等温热处理
1.
Microstructural Evolution of ZA84 Magnesium Alloy During Semi-solid Isothermal Heat Treatment;
ZA84镁合金在半固态等温热处理过程中的组织演变
2.
Experimental method and parameters of liquidus forging are given in this paper to prepare the bellit for semi-solid process,and microstructure evolution of magnesium alloy ZK60-RE during semi-solid isothermal heat treatment is researched as well.
给出了液相线模锻法制备ZK60-RE镁合金半固态坯料的实验方法和工艺参数,并研究了该方法制备的ZK60-RE镁合金在半固态等温热处理过程中的微观组织演变。
3.
Microstructure and composition evolution of MB15 magnesium alloy were researched by means of quenched technology, optical and electronic microscopy analysis in order to study the non-dendritic structure of the MB15 alloy for semi-solid metal forming during semi-solid isothermal heat treatment.
结果表明:MB15镁合金在半固态等温热处理过程中能形成晶粒细小、晶粒粗化速度缓慢的球状组织,但其圆整程度低于AZ91D合金。
4) semi solid isothermal heat treatment
半固态等温热处理
1.
The structure evolution of AZ91D magnesium alloy and the modified AZ91D magnesium alloy during semi solid isothermal heat treatment was studied, and its transformation mechanism was also discussed.
研究了未变质处理和变质处理的AZ91D镁合金在半固态等温热处理过程中的组织演变 ,并对其组织演变机理进行了探讨。
5) semi solid material processing
半固态处理
1.
The microstructure formation during semi solid material processing was experimentally studied through direct observation in a transparent model alloy, succinonitrile 5% water(mole fraction), whose solidification is very similar to that of metals.
采用丁二腈水透明模型合金 ,通过实时观察技术对半固态处理过程中的组织形成及演化机理进行了研究。
补充资料：半导体材料热处理
半导体材料热处理
heat treatment of semiconductor material
热处理也被用于提高GaAs均匀性。半绝缘砷化稼单晶锭在85。一950’C和氮或氮+砷气氛下整锭退火后，电子迁移率从<4。。ocmZ/(V·S)提高到>40oocm“/(V·S)，电阻率不均匀性将由50%降到<30%。若经高温(一200℃)淬火、低温(650一550℃)退火和中温(950℃)退火三段热处理后，过饱和砷均匀核化，深施主EL:将均匀分布，使材料的均匀性得到大的改善。对于离子注入的GaAs晶片，需在氮或氮+砷气氛中，消除辐照损伤和注入离子，提高它的激活率，并用热处理检验半绝缘砷化稼的热稳定性。把无包封的GaAS晶片面贴面放置，并在850℃和氮气氛下退火30min，若电阻率大于5只lo6n·。m，则热稳定性优良。 (翟富义马碧春)bond00t一Coi}500 reChU}l半导体材料热处理(heat treatment of。emi- conduetor material)在 特定的气氛、压力等条件下，按 照一定的温度程序，对半导体单 晶锭或晶片进行热处理的半导 体材杆制备过程中的一个重要 工序。按冷却速度不同，可分为 退火和淬火。经热处理的材料， 因其中杂质、缺陷状态和分布发’ 生变化以及应力的释放，将引起 电学、光学和力学性能变化。它 是一种改变材料性能的有效和 简便的工艺方法。 硅单晶在冷却过程中，在 45。‘C附近将形成硅氧复合体， 具有施主性质，被称为热施主， 它的存在将影响电阻率值。为获 得真实的电阻率，必须消除热施 主，可将硅单晶放在氮或氮+氧 气氛中经550~750℃热处理后 快速冷却，使其失去电活性。再经100。℃以上的高温处理，则可消除晶体在75。℃滞留产生的新施主，从而得到高品质的硅单晶。对于中子擅变掺杂后的硅单晶，需在惰性气氛下，于75。℃以上退火，可消除辐照损伤和激活擅变的磷原子。对于硅抛光片需经过高温(>1000℃)、低温(650~500℃)、再高温(>1。。。℃)三步热处理后，则可实现硅中氧的本征吸除效应，在晶片近表面形成洁净区。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条