1) strongly nonlinear
强非线性
1.
Homoclinic bifurcation of the strongly nonlinear oscillation system by the normal form method;
研究强非线性振动系统同宿分岔问题的规范形方法
2.
The strongly nonlinear problems are difficult to solve by the classical procedures such as perturbation methods.
提出了一类强非线性动力系统的两项谐波法,用Ritz-Galerkin法,将描述动力系统的二阶常微分方程,化为以频率、振幅和偏心距为变量的非线性代数方程组,考虑初始条件补充约束方程,构成频率、振幅和偏心距为变量的封闭非线性代数方程组。
3.
Two harmonics method is presented for strongly nonlinear dynamic-system.
提出了一类强非线性动力系统的两项谐波法。
2) strong nonlinear
强非线性
1.
A heteronomy strong nonlinear dynamics system was analyzed by using the good properries Che-byshev polynomials.
本文利用切比雪夫多项式的若干良好性质,对非自治强非线性动力系统进行分析。
2.
The work are as follows: 1 Overview the nonlinear dynamics researches of the smart structure, boardstrcuture and arch structure and review the strong nonlinear vibration theory.
本文就智能结构,板结构及拱结构的非线性动力学行为进行了较为系统的研究,对其进行了严谨的理论分析和数值计算,本文做了以下的工作: 1、综述了智能结构、板、拱结构非线性动力学研究概况,概述了强非线性振动理论研究现状。
3.
In this paper,the sixth-order approximate analytical solutions of the strong nonlinear oscillation with positive damping are obtained by using newly developed homotopy analysis method.
阐述利用最新提出的同伦分析方法求解有正阻尼的强非线性振动方程,得到了该方程的六阶近似解析解。
4) nonlinear strength
非线性强度
1.
Dam slope stability analysis with linear and nonlinear strength indexes;
线性与非线性强度的坝坡稳定分析
2.
Research on nonlinear strength of nonlinear model and its application in deformation analysis;
非线性模型的非线性强度及其在变形分析中的应用
5) limit bending moment
非线性强化
1.
In the limit analysis of the beam, the authors got a formula of the limit bending moment by using the new model.
应用传统的极限分析理论，对可简化为刚塑性的材料本构关系提出了一种改进的“刚性－非线性强化”近似模型。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条