1) nucleation and growth
形核与长大
1.
The crystallography of fcc/bcc(bct) martensite transformation, including nucleation and growth, has been discussed from the viewpoint of invariant-line and O-lattice theory.
将不变线理论和O点阵理论应用于fcc／bcc(bct)马氏体相变的可滑移生长界面的设计,建立了马氏体形核与长大的 晶体学模型。
2.
Interestingly, the nucleation and growth kinetics of the primary Al nanocrystals proceeds at largely separated stages.
结果表明,在非晶态铝合金的退火过程中纳米Ａｌ粒子的形核与长大过程是可分离的,即首先发生淬态Ａｌ晶核的长大,之后在过冷液态温区发生高密度纳米Ａｌ粒子的形核,最终是Ａｌ晶核的长大过程。
2) nucleation and growth
形核长大
1.
During the dehydrogenation process, its phase transformation period includes nucleation and growth, and steady growth of the new phase with no new crystal nucleus appearing, according to the change of Avrami index.
5,即储氢材料很快进入已形成相的增厚阶段;在150~200℃范围内,温度变化对吸氢相转变影响不大,但影响相转变速率;放氢过程中,根据Avrami指数的变化,相转变基本过程为形核长大阶段和新相继续稳定长大阶段(无新的晶核形成),温度变化同样影响其放氢速率,但对其放氢过程的相转变规律影响不大。
3) Nucleation and Growth
形核与生长
1.
Nucleation and Growth Characteristics of Pre-eutectic Phase in Zn-Al Alloys;
Zn-Al合金先共晶相的形核与生长特性
4) nucleation and growing
成核与长大
5) nucleation and growth model
形核与生长模型
6) Crystal nucleation and growth
晶体形核和长大
补充资料：再结晶形核
再结晶形核
nucleation of recrystallization
za1Jlejing xinghe再结晶形核(nueleation of reerystallization) 变形材料内无畸变的核及其界面，而通过材料中起作用的位错重排形成大角度晶界的再结晶核心的过程。 形核的主要现象有:(1)再结晶核心是在塑性变形引起的最大畸变处，即那些相对于周围位向有明显差别的局部区域;(2)当变形足以使再结晶开始时，新的晶核优先在某些地方，例如在晶界或三接点处出现;若有其他相的粒子，也可成为择优生核的位置;(3)变形金属加热时形成的再结晶核心的尺寸约1一3井m数量级;(4)溶解微量杂质和高度分散的不溶夹杂物常常抑制生核的长大，有时可使再结晶温度提高几百度。 再结晶核心往往在变形金属中的局部高能区域(如晶界、变形带、大夹杂物周围，孪晶界和自由表面等)优先形成。关于再结晶形核，归纳起来有亚晶长大与聚合(吞并)机制和晶界弓出机制。 亚晶长大机制此机制一般在大变形程度下发生。变形金属中会形成胞状组织(见回复)，在回复阶段发展为亚晶(见亚结构)，其中有些亚晶粒逐渐长大，直到它们和基体间形成易动的大角度晶界(即晶粒之间的取向>10。的晶界)而作为再结晶的晶粒长大。1978年苏联学者葛列里克(C .c.rope服K)的实验表明，亚晶长大的机制是因有三重结点的迁移和相邻两个(或一组的3一5个)亚晶的聚合而形成了再结晶核心。 用透射电镜可看到的亚晶长大比基于两个亚晶聚合的模型所预料的更为强烈，作者由此得出亚晶界迁移起着主要作用(图lb)的结论。此过程实际上经常发生，在铝、镍、Cr一Ni合金、Fe一C一C:合金等的再结晶过程的研究中，都能直接观察到。 在钥、铝、钨、钒、镍、Fe一51合金和AI一Zn一Mg系合金中均能观察到通过亚晶聚合形核的现象。由亚晶热的不稳定性所决定的聚合，取决于其所具有的位错密度;低位错密度的亚晶界消失，而高位错密度的亚晶界迁移并迅速转变为大角度的界面(晶粒之间的取向差大于x5o)(图la)。 在强烈变形材料中，位错密度和相应的弹性能很高，加热时即使位错塞积的弹性平衡只轻微受到扰乱，也足以使强烈的位错开始重排。此过程也引起再结晶核心界面的形成。开始时界面有较大的位向差，经过一定时间后转变为大角度界面。 亚晶中心是一个位错密度和能量最低的稳定区域，需要消耗周围高能量区才能长大为有效的核心，因此随变形量的增大而产生更多的高能量区域是最有利于再结晶形核的。 晶界弓出机制当变形程度较小时(约小于40%)，金属变形不均匀，各个晶粒的位错密度不同，晶界两侧胞状组织的粗细也不相同。
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参考词条