1) growth nucleation
生长核形成
2) Nucleation
[英][,nju:kli'eiʃən] [美][,njuklɪ'eʃən]
成核生长
1.
The growth of large area β-SiC film has been realized through adjustment of the number of carbon atoms on the surface for nucleation.
56MHz)等离子体装置,反应气体为甲烷(CH4);通过控制反应系统内碳原子成核生长的条件,实现了大面积β-SiC薄膜的生长。
3) nucleation growth
形核生长
1.
According to the classical theory of linearized spinodal decomposition kinetics and nucleation growth kinetics, after a series of mathematical calculation, the following results were obtained.
从经典的形核生长动力学和Ｃａｈｎ的调幅分解线性动力学理论出发，经数学推导得到如下结论：在分相的扩散阶段初期，按调幅分解机理进行的分相过程，其不均区域尺寸与时间的关系没有一定的规律，而按形核生长机理进行的分相过程，其不均区域尺寸的平方与时间成正比关系。
4) nucleation and growth
成核与生长
1.
Cubic boron nitride (c-BN), a fascinating material with many promising applications, has raised extensive efforts to synthesize thin films of c-BN and to study the nucleation and growth of c-BN since 1930 because of its desirable mechanical, thermal, electrical, and optical properties.
因而c-BN薄膜的成核与生长研究也成为一个倍受关注的研究热点。
5) nucleus formation-nucleus growth
核形成-核增长
6) Nucleation and Growth
形核与生长
1.
Nucleation and Growth Characteristics of Pre-eutectic Phase in Zn-Al Alloys;
Zn-Al合金先共晶相的形核与生长特性
补充资料：成核生长机理
分子式：
CAS号：
性质：理想晶面上金属电结晶过程的理论。此理论认为，在理想平整的晶面上，由于不存在“生长点”，因此，晶体继续生长的前提是在晶面上出现新的晶核。晶核的形成是晶体生长过程的速率控制步骤。在未完成的理想晶面上，晶面的继续生长只能在少数占有最低能量位置的“生长点”或“生长线”上进行。金属离子在晶面上任一位置都可放电并形成“吸附原子”，然后通过扩散转移到“生长线”和“生长点”上。
CAS号：
性质：理想晶面上金属电结晶过程的理论。此理论认为，在理想平整的晶面上，由于不存在“生长点”，因此，晶体继续生长的前提是在晶面上出现新的晶核。晶核的形成是晶体生长过程的速率控制步骤。在未完成的理想晶面上，晶面的继续生长只能在少数占有最低能量位置的“生长点”或“生长线”上进行。金属离子在晶面上任一位置都可放电并形成“吸附原子”，然后通过扩散转移到“生长线”和“生长点”上。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条