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1)  Mott-Schottky analysis
莫特-肖特基分析
2)  Mott-Schottky equation
莫特-肖特基方程
3)  schottky
肖特基
1.
A p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN Quantum-Well Ultraviolet Schottky Photodetector;
p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器
2.
Research on the Improvement of High-temperature Working Function of Schottky Diode;
改善肖特基二极管高温工作性能研究
3.
Study on Silicon Carbide (SiC) Schottky Ultraviolet Photodetectors;
SiC肖特基紫外光电探测器的研制
4)  schottky contact
肖特基结
1.
Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts;
AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究
2.
Performances of SiC MESFET strongly depend on Schottky barrier height,and the stability of gate Schottky contact will have a further impact on the device performances.
SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。
5)  Schottky junction
肖特基结
1.
The improvement of its performance was analyzed by substituting the ZnSe pn junction with the Au/iZnSe/nZnSe (MIS structure) Schottky junction.
根据测得的ZnSep n结的外量子效率(QE)曲线,研究了ZnSe/GaAs/Ge叠层多结光电池的ZnSe顶电池结构、优缺点及全电池的电流匹配问题,探讨了用Au/i ZnSe/n ZnSe肖特基结金属/绝缘体/半导体(MIS)结构取代ZnSep n结结构从而改进全电池性能的方法。
2.
Au\|GaN Schottky junction has been fabricated on n\|GaN materials by MOCVD and MBE.
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 。
6)  Schottky diode
肖特基管
补充资料:密特朗,F.M.M.
      法兰西第五共和国总统(1981~
  )。生于雅纳克市一铁路工人家庭。就学于巴黎政治科学学院,曾任律师。第二次世界大战爆发后入伍,1940年被俘,拘留在德国集中营后脱逃回国,参加抵抗运动。1943年在阿尔及尔会晤C.-A.-M.-J.戴高乐在临时政府中负责战俘和流亡者的工作。并参与组建民主和社会主义抵抗运动。战后长期任国民议会议员(1946~1958),先后任总理办公室新闻国务秘书、海外领地部长、国务部长、内政部长、司法部长等职。1958年反对戴高乐上台,对第五共和国持批评态度。1959~1962年任参议员。1965年参加总统选举,被戴高乐击败。遂致力于左翼力量的联合。先后出任民主和社会主义左翼联合会主席(1965~1968)、共和机构大会党主席(1970~1971)和社会党第一书记(1971)。1972年和法共签署共同政府纲领。1974年参加总统选举,以45%选票再次失利。1981年在左翼各党支持下击败V.吉斯卡尔·德斯坦,出任总统。任内实行改革,宣布建设法国式的社会主义,加速国有化进程,对外继续推行独立自主的外交政策。1986年议会大选后,右翼取胜,与总理J.希拉克实行"共治"。1988年 5月在总统选举中获胜,蝉联总统。
  

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