1) Schottky characteristic
肖特基特性
1.
Effects of different surface treatment methods and ion implantation on Schottky characteristics of AlGaN/GaN HEMT were studied.
研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响。
3) schottky
肖特基
1.
A p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN Quantum-Well Ultraviolet Schottky Photodetector;
p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器
2.
Research on the Improvement of High-temperature Working Function of Schottky Diode;
改善肖特基二极管高温工作性能研究
3.
Study on Silicon Carbide (SiC) Schottky Ultraviolet Photodetectors;
SiC肖特基紫外光电探测器的研制
4) schottky contact
肖特基结
1.
Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts;
AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究
2.
Performances of SiC MESFET strongly depend on Schottky barrier height,and the stability of gate Schottky contact will have a further impact on the device performances.
SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。
5) Schottky junction
肖特基结
1.
The improvement of its performance was analyzed by substituting the ZnSe pn junction with the Au/iZnSe/nZnSe (MIS structure) Schottky junction.
根据测得的ZnSep n结的外量子效率(QE)曲线,研究了ZnSe/GaAs/Ge叠层多结光电池的ZnSe顶电池结构、优缺点及全电池的电流匹配问题,探讨了用Au/i ZnSe/n ZnSe肖特基结金属/绝缘体/半导体(MIS)结构取代ZnSep n结结构从而改进全电池性能的方法。
2.
Au\|GaN Schottky junction has been fabricated on n\|GaN materials by MOCVD and MBE.
在 MBE和 MOCVD两种方法制备的 n- Ga N材料上制作了 Au- Ga N肖特基结 ,测定了肖特基结的室温 I- V特性 。
6) Schottky diode
肖特基管
补充资料：莫特-肖特基方程
分子式：
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条