补充资料：《半导体中的电子和空穴》

    　　关于半导体物理和晶体管电子学理论的权威著作，美国物理学家、晶体管发明人之一W.B.肖克莱著，1950年出版。本书总结对半导体中物理过程的认识，阐述晶体管电子学的理论基础。作者在本书中首次把半导体物理中关于电子过程的基本理论、半导体器件分析、设计和电路应用等内容称为晶体管电子学。本书对半导体物理的发展具有重要意义。全书分为三部分，共17章。第一部分为晶体管电子学引论，利用半导体实验所得到的结果阐明一些理论概念，特别是对电子空穴的注入问题进行了定量研究；第二部分是关于半导体的描述性理论，讨论了半导体中的电子能态、电子和空穴在电磁场中的行为，以及电导率和霍尔效应理论等；第三部分为量子力学基础，叙述基本量子理论如何导致产生电子和空穴的抽象概念，讨论了半导体的统计理论和电子、空穴的跃迁几率理论，论述了与电子导电有关的课题，如电子和空穴的速度、电流和加速度的理论等。本书中所采用的一些基本物理概念和理论分析在后来的半导体物理研究中得到了广泛应用。
　　

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