1) vacancy doping
空位掺杂
1.
The influences of La vacancy doping and Y3+ doping on magnetocaloric effect were investigated.
3)2/3Ca1/3MnO3系列样品,测量不同温度下的磁化强度—磁场曲线,计算样品的磁熵变,研究La空位掺杂和Y3+离子掺杂对磁热效应的影响。
2) vacancy doping effect
空位掺杂效应
4) in-situ doping
原位掺杂
1.
Preparation of CuO-TiO_2 composite nanopowder and in-situ doping in Al_2O_3 microwave dielectric ceramics;
CuO-TiO_2复合纳米粉制备及其原位掺杂Al_2O_3微波介质陶瓷
6) B site doping
B位掺杂
1.
Focus on describing the situation of A an B site doping to Bi4Ti3O12 and the improvement of them to the ferroelectric and fatigue properties.
分析了对铁电薄膜Bi4Ti3O12进行A位、B位掺杂时,Bi4Ti3O12铁电性及疲劳特性的改善及相应的理论解释,并指出Bi4Ti3O12值得进一步深入研究的领域。
补充资料：空位缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中的原子或离子离开格位后所留下的空格位称做空位缺陷，用V(vacancy的字首)表示空位缺陷。如氟化钙(CaF2)中氟离子空位表示成VF·，V表示是空位缺陷，右下角的符号F表示空位缺陷位于氟离子格位，右上角符号表示空位缺陷带有一个正有效电荷。
CAS号：
性质：晶体中的原子或离子离开格位后所留下的空格位称做空位缺陷，用V(vacancy的字首)表示空位缺陷。如氟化钙(CaF2)中氟离子空位表示成VF·，V表示是空位缺陷，右下角的符号F表示空位缺陷位于氟离子格位，右上角符号表示空位缺陷带有一个正有效电荷。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条