1) SiO_2/(Si_3N_4+BN)
SiO_2/（Si_3N_4+BN）
2) Si
Si
1.
DCXRD Investigation of a Ge/Si(001) Island Multilayer Structure;
DCXRD分析Ge/Si(001)多层纳米岛材料(英文)
2.
ICP-AES Determination of Mn,Si,Al,Ti,Nb,La in Ultrahigh Strength Steel;
ICP-AES法测定超高强度钢中Mn,Si,Al,Ti,Nb,La杂质元素
3.
Effects of Trace Si,Ba and Sn on the As-cast Microstructure of AZ91 Magnesium Alloy;
微量Si、Ba、Sn对AZ91铸态组织的影响
3) Silicon
Si
1.
Mechanism of effect of nutrient silicon and water temperature on phytoplankton;
营养盐Si和水温影响浮游植物的机制
2.
Silicon, aluminium and other, a total of 10 elements in different kinds of biological samples, were measured by ICP-AES.
探讨不同种类生物样品中Si和Al等10种元素的测定方法,采用干灰化结合偏硼酸锂碱熔灰分的前处理方法,用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)同时测定试样中Si和Al以及Ca,Mg,Fe,Na,P,Mn,Sr,Ti。
3.
This suggests that sodium attack of both aluminium and Al-12%Si alloy is the result of a reaction between sodium and the silicon contained in the aluminium.
本文研究了纯Al及Al－12％Si合金在液态Na中的腐蚀特性。
4) Si)
Si）
5) a-Si
a-Si
1.
Inner circuit and noise equivalent temperature difference (NETD) of the a-Si FPA were analyzed and the equation of NETD was deduced at length.
本文根据对a-Si微测辐射热计焦平面内部的微观电路结构和噪声等效温差(noise equivalent temperature difference,NETD)的分析,经过详细地推导NETD公式,认为可调节两个偏置电压,使焦平面可以在较低的温度下稳定工作。
2.
In this dissertation，preparation and thermoelectric characterization of conventional silicon-based materials and devices have been studied, including amorphous silicon (a-Si) films, polycrystalline silicon germanium (polySiGe) films and amorphous silicon thin-film-transistors (a-Si TFT).
本文深入系统地研究了a-Si薄膜、polySiGe薄膜和a-Si TFT等三种常规硅基材料和器件的制备方法和热电特性，开发了一套新型的基于多孔硅牺牲层技术的MEMS-IC集成工艺，利用该工艺成功地制作了a-Si和polySiGe薄膜电阻式测辐射热计，在国际上首次提出并实现了基于a-Si TFT的室温红外探测器单元与8×8阵列原型，器件初步具备了室温红外热成像的能力。
6) Si/Si
Si/Si
参考词条
n-Si/p-Si
Si/SiGe/Si HBT
Si粉
Si-MCM-41
Fe-6.5%Si
Si相
Al-3%Si
Al-Si
Si-OH
αFe（Si）
SI制
Bi-Si
Si（OR）4
Si/Al
Si（硅）
Si区
Si桥
Mg2 Si
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补充资料：boron nitride (BN)n
分子式：
CAS号：
性质：最简单的硼氮高分子。有两种晶型。(1)六方型氮化硼(与石墨相像，又称石墨型氮化硼，白石墨)。相对密度2.25。莫氏硬度约2。为白色粉末，在高压下大约3000℃熔融。具有良好的电绝缘性、导热性、抗腐蚀性和良好的润滑性。化学稳定性较好，常温下不与水、酸、碱反应。与水共煮缓慢水解生成硼酸和氨。与热浓或熔融碱以及热的氯气发生反应。可耐2000℃高温。具有很强的吸电子能力。可用硼砂和氯化铵在氨气流中加热制得。(2)立方型氮化硼(金刚石型)。为黑色或棕色粒状晶体。相对密度3.48。熔点3000℃。硬度与金刚石相当。高温时稳定性优于金刚石。可在高温、高压条件下硼和氮气直接合成。氮化硼主要用于耐火材料、半导体固相掺杂源、原子堆的结构材料、防中子辐射的包装材料、火箭发动机组成材料、高温润滑剂和脱模剂。用氮化硼加工的纤维可用作无机合成工程材料，广泛用于宇航、国防工业。立方氮化硼还可用作深井钻头、高速切削工具。
CAS号：
性质：最简单的硼氮高分子。有两种晶型。(1)六方型氮化硼(与石墨相像，又称石墨型氮化硼，白石墨)。相对密度2.25。莫氏硬度约2。为白色粉末，在高压下大约3000℃熔融。具有良好的电绝缘性、导热性、抗腐蚀性和良好的润滑性。化学稳定性较好，常温下不与水、酸、碱反应。与水共煮缓慢水解生成硼酸和氨。与热浓或熔融碱以及热的氯气发生反应。可耐2000℃高温。具有很强的吸电子能力。可用硼砂和氯化铵在氨气流中加热制得。(2)立方型氮化硼(金刚石型)。为黑色或棕色粒状晶体。相对密度3.48。熔点3000℃。硬度与金刚石相当。高温时稳定性优于金刚石。可在高温、高压条件下硼和氮气直接合成。氮化硼主要用于耐火材料、半导体固相掺杂源、原子堆的结构材料、防中子辐射的包装材料、火箭发动机组成材料、高温润滑剂和脱模剂。用氮化硼加工的纤维可用作无机合成工程材料，广泛用于宇航、国防工业。立方氮化硼还可用作深井钻头、高速切削工具。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。