1) active screen
活性屏
1.
In order to overcome the inherent shortcomings of conventional plasma nitriding,new plasma nitriding technologies,such as active screen plasma nitriding,plasma source ion nitriding,ion implantation ion nitriding,were developed during recent years.
为了克服传统离子渗氮的一些固有缺点,近些年来出现一些新的离子渗氮技术,如活性屏离子渗氮、等离子体源离子渗氮、离子注入离子渗氮等,本文简要介绍了这些新技术及其原理、特点,总结了这类技术的共性模型。
2.
This paper studies the morphologies,structures and preparations of active screen ion sulphurized layers of 7A52-aluminium alloy and 45-steel.
对7A52铝合金及45钢表面活性屏离子渗硫层的制备及形貌结构进行了研究。
3.
Therefore, it is on the active screen, rather than on the component surface that the plasma forms.
活性屏离子氮化可以获得和普通直流离子氮化同样的处理效果 ,并解决了离子氮化技术的不足。
2) paraoxonase activity
屏氧酶活性
1.
Objective To determine the changes of paraoxonase activity in patients with heart failure.
目的 :探讨慢性充血性心力衰竭时血清屏氧酶活性的变化。
3) active screen plasma nitriding(ASPN)
活性屏离子渗氮
1.
38CrMoAl steel was treated by active screen plasma nitriding(ASPN) under the atmosphere of pure nitrogen.
利用活性屏离子渗氮(ASPN)技术对38CrMoAl钢在纯氮气氛下进行离子渗氮处理,对渗氮层的硬度、深度、组织结构以及收集粒子的形貌、结构等进行了分析研究。
2.
A new process of fast plasma nitriding on 40Cr steel was investigated using active screen plasma nitriding(ASPN).
用活性屏离子渗氮(ASPN)技术对40Cr钢进行快速离子渗氮技术的研究。
4) active carbon-fiber felt screen
活性碳毡电路屏
1.
Microwave absorbing properties of active carbon-fiber felt screens (vertical-arranged carbon fibers)/epoxy resin composites;
活性碳毡电路屏(直立碳纤维)/树脂复合吸波材料
5) active screen plasma nitriding (ASPN)
活性屏离子渗氮
1.
AISI 316L austenitic stainless steel was nitirded in floating potential and anodic (zero) potential at low temperature by active screen plasma nitriding (ASPN).
用活性屏离子渗氮技术分别对处于悬浮电位和阳极电位的AISI316L奥氏体不锈钢进行低温渗氮处理。
2.
CrMoAl steel was nitirded under the pure nitrogen by active screen plasma nitriding (ASPN).
在纯氮气氛中,利用活性屏离子渗氮(ASPN)技术对 38CrMoAl钢进行了离子渗氮处理,并对渗层的组织结构、硬度、深度等进行了分析。
6) active screen ion sulphurizing
活性屏离子渗硫
1.
The honeycomb-shaped ion sulphurized layer of 10μm in thickness was prepared on the surface of CrMoCu alloy cast iron by using active screen ion sulphurizing technology.
采用活性屏离子渗硫技术,在CrMoCu合金铸铁表面制备出以FeS相为主,厚度约为8μm的蜂窝状立体结构的离子渗硫层。
补充资料：王屏
王屏
江西省兴国县埠头乡人。 1919年出生，1930年参加共产主义儿童团，并任乡儿童团团长，1932年参加反帝大同盟。1933年参加中国工农红军，同年加入中国共产主义青年团，1934年转入中国共产党。土地革命战争时期，任红三军团第六师政治部宣传员，三军团保卫部科员，红军前总政治部保卫部秘书，参加了东方军攻打沙县等战斗，中央革命根据地第五次反“围剿”斗争。参加了长征。抗日战争时期，任山西战地总动员委员会政治服务队指导员，第五支队政治处副主任，第二支队政治处代主任，雁北察南十三县办事处武装部长兼锄奸部长，中共中央晋察冀分局秘书，晋察冀抗战建国学院军训部主任，冀中军区政治部调查科长。解放战争时期，任东北局社会部调查科副科长，中共鞍山市委社会部部长兼公安局长，辽东军区第三军分区副政治委员兼政治部主任，辽东军区第一六五师政治部主任，东北军区第一六三师副政治委员 。坚持沈（阳）抚（顺）本（溪）敌后游击战争，参加 了辽沈战役。中华人民共和国成立后，任师政治委员，辽东军区副政治委员兼政治部主任，军副政治委员，沈阳军区政治部副主任，中央外事政治部副主任，中国科学院政治部主任，装甲兵副政治委员，是中国人民政治协商会议第六、七届全国委员会委员。1955年被授予少将军衔，荣获三级八一勋章、三级独立自由勋章、二级解放勋章。1988年荣获一级红星功勋荣誉章。
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