1) ferroeleetric ceramic thick film
铁电陶瓷厚膜
2) ceramic thick film
陶瓷厚膜
1.
Study on the red thin film electroluminescent devices with ceramic thick film as insulator layer;
以陶瓷厚膜为绝缘层的橙色电致发光器件的研究
2.
Electroluminescent device with ceramic thick film as an insulator;
以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件
3.
Studies on TFEL Device Using Ceramic Thick Film as Insulator Layer;
以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件的研究
3) ferroelectric ceramics films
铁电陶瓷薄膜
1.
The development of study on preferred oriented ferroelectric ceramics films fabricated by the Sol-Gel method;
Sol-Gel法制备择优取向铁电陶瓷薄膜的研究进展
4) Ferroelectric ceramics
铁电陶瓷
1.
Recent progress on observations of domain and domain switchings in ferroelectric ceramics;
铁电陶瓷的电畴及畴变观测研究进展
2.
Preparation of PZN-PT-BT ferroelectric ceramics by modified two-step method;
改进的两步法制备PZN-PT-BT铁电陶瓷
3.
Preparation and Characterization of Ferroelectric Ceramics and Thin Films of Barium Titanate via Sol Gel Technique;
钛酸钡铁电陶瓷和薄膜的溶胶凝胶法制备及表征
5) ferroelectrics
[,ferəi'lektriks]
铁电陶瓷
1.
In recent years, as the development of the preparation technology of the ferroelectricsceramics, its application areas continue enhancement.
对一种应用前景较好的铋层状钙钛矿结构铁电陶瓷材料SBTi的研究进展进行了综述,主要对掺杂改性和制备方法方面的工作和成果进行了阐述。
2.
The dielectric properties of ferroelectrics/ferrite cofired multilayer materials were investigated by equivalent circuit analysis.
采用电介质物理学等效电路分析方法研究了Pb(Ni1/3Nb2/3)O3基铁电陶瓷与NiZnCu铁氧体叠层共烧体的介电频率响应,探讨了共烧体界面对介电性能的影响。
3.
The composite material was prepared by mixing Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-based ferroelectrics and NiCuZn ferrite material.
研究了铁电陶瓷 /铁氧体混合烧结体的相结构与介电性能。
6) ferroelectric ceramic
铁电陶瓷
1.
Progress in domain switching in ferroelectric ceramics;
铁电陶瓷中电畴翻转研究进展
2.
The experimental research for electric fatigue of ferroelectric ceramic;
铁电陶瓷的电致疲劳实验研究
3.
The recent progress of ferroelectric ceramic films prepared by electrophoretic deposition technique (EPD)is reviewed.
综述了电泳沉积技术在制备铁电陶瓷薄膜方面的最新研究进展,讨论了陶瓷特性、电压、分散剂、热处理时间等因素对电泳沉积铁电薄膜性能的影响。
补充资料：反铁电陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条