1) semiconductor ferroelectric ceramics
PTCR铁电陶瓷
1.
The electric fatigue of (BaPb)TiO_3-base semiconductor ferroelectric ceramics were studies in presentexperiment.
对(BaPb)TiO_3型PTCR铁电陶瓷的电疲劳现象进行了研究。
2) PTCR ceramic
PTCR陶瓷
1.
High performance BaTiO_3-based PTCR ceramic material with low resistivity;
低电阻率高性能BaTiO_3基PTCR陶瓷材料
2.
The electric microstructure of PTCR ceramics was analyzed by the brick wall model.
采用砖形结构模型(brick wall model)分析了PTCR陶瓷的电显微结构,通过公式推导得到复阻抗图谱的宏观拟合结果与陶瓷单个晶粒和晶界电性能的对应关系。
3.
A new type of PTCR ceramic materials based on (Ba,Sr)TiO 3 with linear resistance temperature characteristics on rectangular coordinates are investigated with the help of complex impedance analysis and measurements for Hall coefficient and zero power R T characteristics.
通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 。
3) PTCR ceramics
PTCR陶瓷
1.
Speciation in electroless nickel solutions for BaTiO_3 based PTCR ceramics and the roles of complexing agents;
PTCR陶瓷化学镀镍电极溶液中镍离子型体分布和络合剂的作用
2.
Semi-conductive process of PTCR ceramics has been studied.
研究了PTCR陶瓷半导化过程。
4) ceramic PTCR
陶瓷PTCR
1.
The test signal frequency of ceramic PTCR ranges between 10 kHz-10 MHz,and the test signal frequency of composite PTCR ranges between 10 kHz-6 GHz.
简述了陶瓷PTC热敏电阻和有机PTC热敏电阻的特性 ,介绍了 2类PTC热敏电阻的PTC效应原理 ,并就 2类PTC热敏电阻高频特性结合试验测量结果进行了分析 ,陶瓷PTCR采用的测试信号频率为 1 0kHz～ 1 0MHz,有机PTCR所采用的测试信号频率为 1 0kHz～ 6GHz,结果表明有机PTCR较陶瓷PTCR有良好的高频过流保护特性 ,这说明有机PTCR更适合用于高频过流保护 。
5) PTCR ceramic material
PTCR陶瓷材料
1.
Orthogonal experiment method applied to preparation of PTCR ceramic material with good electric properties by once-through method in sol-gel process;
高性能PTCR陶瓷材料的制备
补充资料：反铁电陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
CAS号：
性质：主晶相为反铁电体的陶瓷材料，常见的反铁电体为锆酸铅(PbZrO3)或以其为基的固溶体。具有高的相变场强、储能密度和较低的介电常数，低的介质损耗。如Pb0.97La0.02[(Zr59Till)0.7Sn0.3]O3反铁电陶瓷相变场强为34kV/cm(25℃)，介电常数峰值2020，居里温度181℃。采用一般电子陶瓷工艺制造。由于其中含铅量较高，常用刚玉坩埚加盖密封烧成，以防止氧化铅高温挥发，烧成温度：1340℃左右。用这类材料制成的抗辐射储能电容器的储能密度可达0.3J/cm3以上，制作时常在瓷片电极附近的绝缘边上涂敷半导釉，可有效地防止绝缘边击穿，提高工作电压。还可用于制作高压电容器、高介电容器，以及换能器(实现电能与机械能转换)等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条