1) cut through temperature
软化击穿温度
2) cut-through temperature
切通温度、软化击穿温度
5) gate oxide soft breakdown
栅氧化层软击穿
1.
The failure mechanism of gate oxide soft breakdown (as MOSFETs main failure mode) under electromagnetic pulse stress is analyzed,and it is obtained that this agrees to degradation failure model based on stochastic process.
通过分析电磁脉冲应力下,栅氧化层软击穿(MOS器件主要失效模式)的失效机理,得出结论:它符合基于随机过程的退化失效模型。
6) softening temperature
软化温度
1.
The effect of high silicon low iron material on softening temperature,balling index,quality and output of sintering ore was investigated.
分析了高硅低铁物料对铅锌矿软化温度、成球性指数、烧结矿质量与产量的影响。
2.
The results show that the softening temperature of Cu-0.
4Cr的最佳软化温度约为773K,弥散的Cr可以有效地阻止合金的晶粒长大;在723K软化条件下,Cu-0。
3.
Their electrical conductivity, thermal conductivity and softening temperature were measured.
结果表明,纳米复合材料的电导率随AlN含量的增加而降低;纳米复合材料的热导率随AlN含量的增加而降低;纳米复合材料的软化温度随AlN含量的增加而提高,当AlN含量为0。
补充资料:荷重软化温度
分子式:
分子量:
CAS号:
性质:又称荷重变形温度,简称荷重软化点。耐火材料在恒定荷重下,对高温和荷重共同作用的抵抗性能,可通过实验方法测出。
分子量:
CAS号:
性质:又称荷重变形温度,简称荷重软化点。耐火材料在恒定荷重下,对高温和荷重共同作用的抵抗性能,可通过实验方法测出。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条