1) interphase
[英]['intəfeiz] [美]['ɪntɚ,fez]
界相
1.
Research progress on interphase theory for bonding between polymer adhesive and metal;
高分子胶粘剂与金属粘接的界相理论及其研究进展
2.
A micromechanical model is presented for the prediction of the stress field in the threephase composite with imperfect interface between the interphase and the matrix.
对非理想界面的三相复合材料，提出了计算弹性应力场的微观力学模型，在适当的简化 假设下，对带界相的颗粒增强和纤维增强复合材料，得到了应力场的计算公式。
2) phase boundary
相界
1.
Influence of polarization conditions upon the properties and structures of lead niobium-stibium zirconate-titanate (PNSZT) piezoelectric ceramics, in which there are tetragonal and rhombohedral phases coexistent (morphotropic phase boundary, MPB), was studied.
研究了极化条件对三方 /四方相共存 (即准同型相界 ,简称MPB)的铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷性能和结构的影响 。
3) phase and phase interface
相及相界面
4) biphase interface
异相界面
1.
The valence electron structures of the biphase interfaces with V,Nb,Mo in α2 alloy were calculated with the empirical electron theory of solids and molecules and the improved Thomas-Fermi-Dirac theory.
利用合金相界面价电子结构信息-界面结合因子,即异相界面共价电子密度ρ、共价电子密度差Δρ,使界面电子密度保持连续的原子状态组数σ,分析了单相α2合金与多相α2合金相界面的价电子结构。
2.
The calculation model and method calculating the valence electron structures of biphase interface α2/γ of the lamellar structure in two-phase TiAl-alloy are advanced on the basis of the empirical electron theory of solids and molecules(EET) and the improved Thomas-Fermi-Dirac theory(TFD).
基于余氏固体与分子经验电子理论(EET)和程氏改进的 TFD 理论提出了计算双相 TiAl 合金层片状结构α2/γ界面电子结构的计算模型与方法,计算了含常用合金元素的单相 TiAl 合金与双相 TiAl 合金中的异相界面的电子结构,利用界面电子结构给出的信息?界面结合因子ρ, ?ρ, σ,以合金元素 Mn 为例初步分析讨论了双相 TiAl 合金层片状结构增加韧性的微观机制。
5) phase boundary diffusion
相界扩散
6) interfacial area
相界面积
1.
The vapor-liquid contact and interfacial area on the valve tray were investigated on the basis of the mechanism of bubble deformation and breakage in the turbulent liquid.
研究了浮阀塔板上的气液接触状况以及相界面积。
补充资料：陶瓷表面、界面和界相
陶瓷表面、界面和界相
eeramie surfaee inter-faCeafldinterPhase
陶瓷表面、界面和界相。eramiC Surfaee inter-face and interphase任何固体材料都有表面。表面的结构和原子排列决定能量状态，因而影响材料的性能，尤其是电性能和光学性能，并决定材料是否具有催化性能。利用一些陶瓷表面结构与湿度的密切关系，可制成湿度探测器。如用多孔氧化铝膜制造成的湿度探测器，被探测的水气通过可渗透的顶部金质电极在多孔A12O3壁上达到平衡，这一情形改变结构通道，因而具有表面电导性能。 表面科学必然涉及界面问题。晶界是多晶材料(陶瓷是一种典型的多晶材料)中最常见的界面现象。作为多晶材料中分割晶粒的界面，可看成材料从一个晶粒向另一个晶粒的结构过渡形式。晶界的宽度一般为原子间距的数量级，可认为是二维和三维的中间状态。晶界的化学成分，尤其是杂质的成分，影响陶瓷材料的强度，特别是高温强度、蠕变性能、硬度等。晶界组成可影响陶瓷材料的烧结机理属性、晶粒的重结晶，并改变晶界的相变。在功能陶瓷中，如电容器陶瓷、正温度系数(PTC)陶瓷等，晶界在调节材料的性能上是重要的因素。对于很多材料，要求晶界尽量“清洁”，即没有杂质和第二相。对于半导体材料，由于晶界的存在产生悬键，从而给出具有扰动特性的空域能带。若有杂质富集，将改变能带状态，因此这类材料需要清洁晶界。材料界面中薄膜和底材之间形成的界面所产生的缺陷，对半导体材料电性能影响很大，因此制备时要加以控制。 随着界面问题的深入研究，以及多相体系在材料中的日趋重要，又提出了界相这一概念。所谓界相是指不同相之间的界面。在多相复合陶瓷中，有纤维或晶须与母相之间、有两相弥散与母相之间、有两个或多个主晶相之间，以至在陶瓷相与金属相、陶瓷相与高分子相之间的界相问题。它们在化学上的相容、在物理上的匹配，以及结合性状和显微结构，均为这类陶瓷材料的设计提供了有用的信息和依据。‘ (温树林)
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参考词条