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1)  grain boundary energy
晶界能
2)  grain boundary characteristics
晶界性能
3)  low energy boundsries
低能晶界
4)  migration energy for grain boundary
晶界迁移能
1.
In the model,three parameters,such as migration energy for grain boundary,recrystallization grain size and dislocation density,are included.
采用位错理论推导出了一个具有晶界迁移能、再结晶平均晶粒尺寸以及位错密度等材料物理参数再结晶动力学模型。
5)  grain boundary surface energy
晶粒界面能
6)  Grain-boundary States
晶粒间界能态
1.
Studies on Grain-boundary States in Polysilicon Films FET;
多晶硅薄膜场效应结构的晶粒间界能态分布
补充资料:晶界能


晶界能
energy of grain boundary

  晶界能energy of grain boundary破坏晶体的周期性晶格结构以形成单位面晶界所需要的能量。对于小角晶界,由位错理论可以计算晶界能,所得结果与实验符合很好。但是对于大角晶界,晶界能与晶界结构之间的关系尚未确定,晶界能的计算需要采用近似方法。 对称倾侧型小角晶界由一列平行于转轴、且其伯格斯矢量垂直于晶界的刃型位错线组成。其他类型的小角晶界则是由两组或多组平行位错构成位错网络。里德和肖克利假设晶界上的位错呈均匀分布,则由位错理论可求得晶界能E与小角晶界位向差夕之间存在着下列关系 E=几8(A一Ins)式中属和A均为常数。该式表明小角晶界的晶界能随取向差6增大而增大,与实验相符。┌────────────────────┐│工土土上三上上义生 ││幸{吞于{弓讲 ││ 混乱晶界│├────────────────────┤│厂‘丫卜 │└────────────────────┘Zt】4〔)608叮)10()120 140 160 180倾侧角‘度)金属铜的〔011〕对称倾侧晶界的晶 界能与取向差之间的关系对于大角晶界,实验表明晶界能与位向差之间存在复杂的关系。图中给出金属铜以〔011〕为转轴的对称倾侧晶界能与取向差之间的关系。由图可见,对于孪晶艺3和某些重合晶格晶界艺9和乙11,晶界能具有极小值;对于其他晶界,晶界能很高,存在极大值。 一般说来,晶界能由两部分组成:晶界核心区域内原子之间的相互作用能(简称核心能);晶界长程应变场的弹性能(简称弹性能)。弹性能可以根据位错连续介质理论进行计算;而核心能由于与晶界原子结构有关,并不单纯取决于位向差,目前尚无一般性计算公式,通常在计算机模拟晶界原子结构的基础上进行近似计算。对于小角晶界,弹性能占优势;对于大角晶界,核心能占优势。(吴希俊)
  
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