说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 半静态
1)  semi-static system
半静态
1.
The results indicated that the 21-day both NOEC and LOEC of 3,4-dichloroaniline for parental reproduction,growth and survival in semi-static system were 0.
分别采用持续流水式系统和半静态系统为暴露途径,比较研究难溶化学品3,4-二氯苯胺对大型蚤繁殖影响的差异。
2)  semistatic test
半静态试验
3)  semi-stationary subdivision
半静态细分
4)  semi-static interference coordination
半静态干扰协调
1.
In order to meet multi-service s QoS requirement of multi-service OFDMA cellular system,a resource allocation algorithm based on semi-static interference coordination (PQSIC) was proposed.
提出了一种基于半静态干扰协调的支持多业务QoS的OFDMA资源分配算法PQSIC。
2.
In order to solve the severe Co-Channel Interference(CCI)problem suffered by cell-edge users in multi-cell OFDMA system,a semi-static interference coordination algorithm based on cell-edge users number(SICUN)was proposed.
为了解决多小区OFDMA系统边缘用户受到严重的同频干扰问题,提出了一种基于小区边缘用户数的半静态干扰协调算法SICUN。
5)  semiconductor static memory
半导体静态存储器
6)  static MOS circuits
静态金氧半导体电路
补充资料:金属-氧化物-半导体静态随机存储器
      具有静态存储信息功能的MOS随机存储器,其存储单元的核心部分是双稳电路。只要电源不断,在单元内的信息便能长期保存,不需要对所存储的信息作周期性的刷新。
  
  
  原理  图1是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T1~T4连接成双稳态电路,T5和T6组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出,还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路),以及功能控制电路。因此,MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路(读写电路),以及读出和写入控制电路(读写控制电路)四个部分(图2)。
  
  
  地址译码按单元阵列的矩形排列,分成X和Y两个方向。Ax、Ay分别表示X和Y地址,为片选信号,为读入和写出控制信号,I/O为输入-输出端。的低电平为选中,高电平为未选(维持态)。的低电平为写入,高电平为读出。
  
  
  在一个读操作周期(图3)内,为低电平(选中),为高电平(读操作)。当地址Ai输入后,被选中的单元就会在输入-输出端读出存储的数字 D0。从Ai输入到D0读出有一个响应的时间过程,这决定于读出过程中各部分电路延迟时间的总和,即图中的,称为电路的地址取数时间。越短,表示电路的速度越快。
  
  应用  MOS静态随机存储器使用时不需要刷新,故比动态存储器使用方便,已大量应用于微处理器和其他小型数字控制设备。在使用中为了减少电路片数目,在电路结构方面一般采用多位输入-输出形式。例如,四位结构用1k×4,八位结构用2k×8。另外,为了减少管壳的引出端数,通常把输入端和输出端合并为一个端(I/O),由读写控制器控制,按时分别执行输入(写)、输出(读),以及维持(即不读、不写)等三种功能。
  
  发展  微处理机技术的发展,促进了 MOS静态随机存储器的研制。同时,随着MOS工艺技术的进步,在集成度、功耗和速度等主要性能指标方面提高得很快。集成度从1k×4、2k×8已发展到8k×8。为了降低功耗,设计和工艺也得到改进。特别是采用了高阻多晶硅负载单元及CMOS单元,使每一单元的功耗下降到微瓦量级。速度的提高主要是由于MOS短沟道技术的发展,以及在读出电路中采用限摆幅等电路技术,使取数时间大大加快。例如,采用小于2微米沟道的高性能MOS静态随机存储器件,取数时间可达30~40纳秒。这样的速度已经接近双极型随机存储器的水平。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条