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1)  Gallium [英]['ɡæliəm]  [美]['gælɪəm]
Ga
1.
Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;
液态Ga的密度和黏度及其微观结构
2.
Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.
采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。
3.
The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).
研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。
2)  GaAs
Ga As
1.
Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉
3)  (Ga-Ga) model
(Ga-Ga)模型
1.
Expected value of sample information for two-action linear decision problems under the(Ga-Ga) model
(Ga-Ga)模型下的二行动线性决策问题的EVSI
4)  genetic algorithm & fuzzy C-means
GA-FCM
5)  GA
GA法
1.
Application of Improved GA Method in Multi-objective Programming for Water Pollution Control Systems;
改进GA法在水污染控制系统多目标规划中的应用
6)  In(Ga)rich
富In(Ga)
补充资料:Ga

元素中文名:镓 原子量:69.735 熔点:9.78c 原子序数:31

元素英文名: gallium 价电子:4p1 沸点:2403c 核外电子排布: 2,8,18,3

元素符号: ga 英文名: gallium 中文名: 镓

相对原子质量: 69.72 常见化合价: +3 电负性: 1.8

外围电子排布: 4s2 4p1 核外电子排布: 2,8,18,3

同位素及放射线: ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]

电子亲合和能: 48 kj·mol-1

第一电离能: 577.6 kj·mol-1 第二电离能: 1817 kj·mol-1 第三电离能: 2745 kj·mol-1

单质密度: 5.907 g/cm3 单质熔点: 29.78 ℃ 单质沸点: 2403.0 ℃

原子半径: 1.81 埃 离子半径: 0.62(+3) 埃 共价半径: 1.26 埃

常见化合物: gao ga2o ga2o3

发现人: 布瓦博德朗 时间: 1875 地点: 法国

名称由来:

拉丁文:gallia(法国)。

元素描述:

柔软的蓝白色金属。

元素来源:

见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。

元素用途:

用于半导体工业,制造led(发光二极管)和砷化镓激光二极管。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条