1) Indium Hydroxide
氢氧化铟
1.
Indium-Tin oxide(ITO)precursors,cubic Indium Hydroxide(In(OH)3),was prepared by a co-precipitation method.
文章采用共沉淀法制备了立方结构的铟锡氧化物(ITO)前驱体氢氧化铟(In(OH)3)。
2.
In this paper, the synthesis and optical properties of indium hydroxide/oxide micro/nanostructure, yttrium hydroxide/oxide micro/nanostructure have been reported, and the photonic structures and optical properties of the butterfly wings and their corresponding inorganic replica have been also investigated.
氢氧化铟和氧化铟是重要的半导体材料,块体的氧化铟在室温下没有任何荧光性质,但当尺寸减小到纳米级时,由于晶体有氧空穴的存在,所以具有了良好的荧光性质。
2) indium-tin hydroxide
铟锡氢氧化物
1.
The experimental results show that amorphous indium-tin hydroxide composite powder was first transformed into amorphous 1TO composite powder, then into crystal ITO composite powder, and the temperature of crystallization is about 390℃.
采用热分析、XRD等方法,研究了用化学共沉淀法制备的铟锡氢氧化物复合粉末在煅烧过程中的变化规律。
3) indium-113m iron hydroxide colloid m
铟-氢氧化铁胶体
4) Indium hydride
铟氢化物
5) Hln~x molecular ions potentional
氢化铟
6) indium-113m iron hydroxide colloid
m铟-氢氧化铁胶体
补充资料：氢氧化铟
分子式：In(OH)3
CAS号：
性质：又称三水合氧化铟（diindium trioxide trihydrate）In2O3·3H2O。重而白色胶质沉淀。不溶于水和氨水。易溶于氢氧化钾和氢氧化钠，溶于酸。加热徐徐失水，至600℃完全脱水生成三氧化二铟。可由金属铟与盐酸作用生成三氯化铟后用氨水处理后制得。可用于制取铟的氧化物，作为半导体材料。
CAS号：
性质：又称三水合氧化铟（diindium trioxide trihydrate）In2O3·3H2O。重而白色胶质沉淀。不溶于水和氨水。易溶于氢氧化钾和氢氧化钠，溶于酸。加热徐徐失水，至600℃完全脱水生成三氧化二铟。可由金属铟与盐酸作用生成三氯化铟后用氨水处理后制得。可用于制取铟的氧化物，作为半导体材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条