1) indium tin oxide
掺锡氧化铟
2) ITO thin film
掺锡氧化铟薄膜
3) Indium-tin oxide electrode
掺铟氧化锡电极
4) tin_doped indium oxide film
锡掺杂氧化铟薄膜
5) Indium Tin Oxide (ITO) thin film
掺锡氧化铟(ITO)薄膜
6) Sn-In2O3 nanopowders
锡掺杂氧化铟纳米粉
1.
In order to increase the dispersive effect of Sn-In2O3 nanopowders in organic MMA solution,the ways of mechanical and ultrasonic dispersion were used to modify the surface of Sn-In2O3 nanopowders when PEG4000,KH570,oleic acid and stearyl alcohol were choosed as dispersant.
找出了在MMA单体中分散最好的纳米粉体改性工艺条件:以乙二醇为分散介质、锡掺杂氧化铟纳米粉体摩尔分数为0。
补充资料：氧化锡陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：以氧化锡为主要成分的陶瓷。主晶相为锡石，晶粒尺寸5～20μm。氧化锡含量在93％以上，其余为锌、铋、锑、铜等氧化物烧结促进剂和导电改性剂，有时还添加氧化钇作为晶体控制剂(防止晶粒异常长大)。密度6.0～6.5g/cm3。耐压强度400MPa。抗折强度80MPa。线膨胀系数(4.5～5)×10-6/℃。高温下耐玻璃熔盐和有色金属熔体侵蚀性能优良，耐温度骤变性能良好，导电性能好。氧化锡原料经配料和一般陶瓷工艺处理后，坯体在1500～1550℃氧化气氛下烧结而成。用作玻璃电熔电极、熔制玻璃的坩埚等。
CAS号：
性质：以氧化锡为主要成分的陶瓷。主晶相为锡石，晶粒尺寸5～20μm。氧化锡含量在93％以上，其余为锌、铋、锑、铜等氧化物烧结促进剂和导电改性剂，有时还添加氧化钇作为晶体控制剂(防止晶粒异常长大)。密度6.0～6.5g/cm3。耐压强度400MPa。抗折强度80MPa。线膨胀系数(4.5～5)×10-6/℃。高温下耐玻璃熔盐和有色金属熔体侵蚀性能优良，耐温度骤变性能良好，导电性能好。氧化锡原料经配料和一般陶瓷工艺处理后，坯体在1500～1550℃氧化气氛下烧结而成。用作玻璃电熔电极、熔制玻璃的坩埚等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条