1) CVD diamond thick film
CVD金刚石厚膜
1.
Etching of CVD diamond thick films by rare－earth compound ink;
CVD金刚石厚膜的稀土化合物浆料刻蚀(英文)
2) CVD diamond thick film cutter
CVD金刚石厚膜刀具
1.
The performance characteristics of CVD diamond thick film cutters are analyzed.
分析了CVD金刚石厚膜刀具材料的性能特点 ,对CVD金刚石厚膜车刀进行了精密切削和难加工复合材料切削试验 ,结果表明 :CVD金刚石厚膜刀具加工铝合金的表面粗糙度可达Ra0 0 5 μm ;切削难加工复合材料时刀具耐磨性和使用寿命明显优于硬质合金刀具、PCBN刀具和PCD刀
3) CVD diamond thick-film turning tool
CVD金刚石厚膜车刀
1.
The experiments of cutting cemented carbide K10 with CVD diamond thick-film turning tool under variable installing rake angles were carried out,the change regularity of tool wear and machined surface roughness as different installing rake angles was compared and analyzed.
采用CVD金刚石厚膜车刀对K10硬质合金进行了不同安装前角下的切削加工试验,比较分析了刀具的磨损状况和加工表面粗糙度随前角的变化规律。
4) Optical-quality CVD diamond thick films
光学级CVD金刚石厚膜
5) CVD diamond film
CVD金刚石膜
1.
Growth stability and quality of plasma jet CVD diamond films under gas recycling condition;
气体循环条件下等离子体喷射CVD金刚石膜的生长稳定性和品质
2.
Study on preparation and properties of X-ray detector based on CVD diamond film;
CVD金刚石膜X射线探测器的研制及性能研究
3.
A quick method for measure grind ratio of CVD diamond film;
一种快速测定CVD金刚石膜磨耗比的方法
6) CVD diamond films
CVD金刚石膜
1.
High breakdown voltage of Al Schottky diodes on device grade homoepitaxial CVD diamond films;
器件级同质外延CVD金刚石膜上的具有高击穿电压的铝肖特基二极管(英文)
2.
Field emission mechanism of CVD diamond films;
CVD金刚石膜的场发射机制(英文)
3.
Kinetic Monte Carlo(KMC)method is an appropriate method to describe the CVD diamond films processes on atomic scale, based on a three-dimensional representation of film growth that incorporates the effects of surface atomic structure and morphology.
蒙特卡洛动力学(Kinetic Monte Carlo-KMC)仿真方法通过结合金刚石膜生长表面的原子结构和形貌特性,以及对CVD金刚石膜生长过程在原子尺度上的三维表征,可以形象描述CVD金刚石薄膜原子尺度生长过程。
补充资料：金刚石膜
分子式：
CAS号：
性质：用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高，达HV100GPa，热导率为100W·cm-l·K-1，为铜的5倍，禁带宽度为6.6～8.0eV，室温电阻率高达1016Ω·cm，通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜，以制备金刚石器件。
CAS号：
性质：用低压或常压化学气相沉积(CVD)方法人工合成的金刚石膜。金刚石的硬度在固体材料中最高，达HV100GPa，热导率为100W·cm-l·K-1，为铜的5倍，禁带宽度为6.6～8.0eV，室温电阻率高达1016Ω·cm，通过掺杂可以形成半导体材料。金刚石在从紫外到红外广阔频带里都有很高的光学透射率，它还是一种优良耐腐蚀材料。金刚石膜的制备方法有热化学气相沉积(TCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)两大类。现正在研究将研制得到的金刚石膜作耐磨涂层、声学膜片、光学窗口、集成电路高热导基片。还研究在硅片上外延单晶金刚石膜，以制备金刚石器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条