1) chalcogenides semiconductor
硫族半导体
1.
Research development of nanoscale metal and chalcogenides semiconductor via sonoelectrochemistrical method;
超声电化学法制备纳米金属及硫族半导体研究进展
2) chalcogenide vitreous semiconductor
硫族玻璃半导体
5) Ⅱ-Ⅵ semimagnetic semiconductor
ⅡⅥ族半磁半导体
6) Ⅱ-Ⅵ semiconductor
Ⅱ-Ⅵ族半导体
1.
The scattering characteristics of the Ⅱ-Ⅵ semiconductor were analyzed by a method which combines the second-order finite-element method with the rigorous mode matching procedure.
用有限元和场匹配相结合的方法分析了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的散射特性。
补充资料：半导体玻璃
分子式：
CAS号：
性质：电阻率介于导体和绝缘体之间(1×10-5～1×107Ω•cm)，具有半导体特性的玻璃。有p型(空穴型)和n型(电子型)两类，通常为p型。他们的性能：载流子密度1×1018/cm3。迁移率1×10-3～1×10-2cm2/(V·s)。按化学组成，分为氧化物和非氧化物玻璃两大类。(1)氧化物玻璃。含有大量钒、铁、钨、钴、镍等过渡元素的氧化物的玻璃，如V2O5-P2O5-BaO系，CuO-B2O3-CaO系，MnO-A12O3-SiO2系等。生产主要原料为上述过渡元素的氧化物或碳酸盐，610～1100℃温度下在陶瓷质或石英质坩埚中进行熔制，经退火(温度200～300℃)而成。(2)非氧化物玻璃,通常为硫系玻璃。它和氧化物玻璃相似，只是以硫、硒或碲替代氧。如 As2Se3-As2S3 系，As2Se3-AsTe3 系，As2Se-3Sb2Se3系等。原料要求选取纯净的，纯度一般应在99.99%以上。先将原料混合均匀，置于抽真空的石英安瓿中进行熔制，可以自然冷却，必要时可投入冰水或干冰中急冷，以确保玻璃态。半导体玻璃器件具有结构简单、体积小、读出速度快、抗辐射能力强等优点。用于制作电子计算机、抗辐射导弹、宇宙飞船和原子能反应堆等的部件以及测温温度计、红外探测器、微波功率计等。
CAS号：
性质：电阻率介于导体和绝缘体之间(1×10-5～1×107Ω•cm)，具有半导体特性的玻璃。有p型(空穴型)和n型(电子型)两类，通常为p型。他们的性能：载流子密度1×1018/cm3。迁移率1×10-3～1×10-2cm2/(V·s)。按化学组成，分为氧化物和非氧化物玻璃两大类。(1)氧化物玻璃。含有大量钒、铁、钨、钴、镍等过渡元素的氧化物的玻璃，如V2O5-P2O5-BaO系，CuO-B2O3-CaO系，MnO-A12O3-SiO2系等。生产主要原料为上述过渡元素的氧化物或碳酸盐，610～1100℃温度下在陶瓷质或石英质坩埚中进行熔制，经退火(温度200～300℃)而成。(2)非氧化物玻璃,通常为硫系玻璃。它和氧化物玻璃相似，只是以硫、硒或碲替代氧。如 As2Se3-As2S3 系，As2Se3-AsTe3 系，As2Se-3Sb2Se3系等。原料要求选取纯净的，纯度一般应在99.99%以上。先将原料混合均匀，置于抽真空的石英安瓿中进行熔制，可以自然冷却，必要时可投入冰水或干冰中急冷，以确保玻璃态。半导体玻璃器件具有结构简单、体积小、读出速度快、抗辐射能力强等优点。用于制作电子计算机、抗辐射导弹、宇宙飞船和原子能反应堆等的部件以及测温温度计、红外探测器、微波功率计等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条