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1)  GaAs crystal
GaAs晶体
1.
To produce polarized electrons , a method based on photoemission from GaAs crystal is used.
自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途,目前国际上普遍采用光电离GaAs晶体产生自旋极化电子。
2)  GaAs grown at low temperature
低温GaAs晶体
3)  GaAs field-effect transistor (FET)
GaAs场效应晶体管
4)  AlGaAs/GaAs HBT
AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
1.
Self aligned AlGaAs/GaAs HBT with Micro airbridge Isolation;
微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
5)  GaAs single crystal
GaAs单晶
6)  GaAs wafer
GaAs晶片
1.
Ultra fine powders of cerium dioxide with different sizes were prepared via homogenous precipitation and were collocated into polishing slurry with different concentration of H2O2 and pH value for chemical-mechanical polishing of GaAs wafer.
通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光。
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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参考词条