1) mercuric selenide HgSe
硒化汞
2) mercury selenide
硒化汞
3) mercuric selenide
一硒化汞
4) mercury selenide crystal HgSe
硒化汞晶体
5) Selenization
硒化
1.
Influence of selenization on the surface morphology and phase structure of CuInSe_2 thin films;
硒化技术对CuInSe_2薄膜表面形貌和晶相的影响
2.
magnetron sputtering and CIAS absorbers were obtained by selenization.
采用中频交流磁控溅射方法制备了CIA前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了CIAS吸收层薄膜。
3.
The crystallization of CuInSe 2 thin films by high Se vapor selenization of Cu In alloy within a partially closed graphite container was reported.
利用两源蒸镀 Cu- In合金膜 ,在半封闭石墨盒中硒化 ,制备了具有单一黄铜矿结构的Cu In Se2 ( CIS)薄膜 。
6) selenylation
硒化
1.
After-selenylation of Cu-In multilayer to prepare CuInSe_2 polycrystalline thin filmand its properties;
Cu-In多层膜后硒化法制备CuInSe_2多晶薄膜及性能的研究
2.
Then,the Cu(In1-xGax)Se2(CIGS) absorbing layer was obtained by the selenylation of CIG layer in the atmosphere of Se vapor and Ar carrier gas.
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se(2 CIGS)吸收层薄膜,考察了硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响。
参考词条
补充资料：硒化汞
分子式：
CAS号：
性质：灰黑色正方晶体。有毒!相对密度8.266。在氮、二氧化碳气氛中或真空加热至约600℃时升华，升华物为紫黑色。导电率高，达3000Ω-1cm-1。为电子导电型物质。不溶于水，溶于硒氢酸铵溶液。由稀氯化汞溶液滴加于饱和硒化氢溶液中或由化学计量的汞和硒在封管内加热至550～600℃而得。是一种半导体材料。用于制造太阳能电池、薄膜晶体管、红外检波器和超声放大器。还用于制作霍尔效应高灵薄膜和分析试剂。
CAS号：
性质：灰黑色正方晶体。有毒!相对密度8.266。在氮、二氧化碳气氛中或真空加热至约600℃时升华，升华物为紫黑色。导电率高，达3000Ω-1cm-1。为电子导电型物质。不溶于水，溶于硒氢酸铵溶液。由稀氯化汞溶液滴加于饱和硒化氢溶液中或由化学计量的汞和硒在封管内加热至550～600℃而得。是一种半导体材料。用于制造太阳能电池、薄膜晶体管、红外检波器和超声放大器。还用于制作霍尔效应高灵薄膜和分析试剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。