1) doped oxide semiconductors
掺杂氧化物半导体
1.
The stealth mechanism and present situation of several infrared/radar compatible stealth materials, such as conducting polymers, nano-materials, doped oxide semiconductors and composite multispectral stealth materials are also reviewed in detail.
阐述了实现红外与雷达隐身兼容的技术途径,综述了导电高聚物、纳米材料、掺杂氧化物半导体和复合型多波段隐身材料等红外/雷达兼容隐身材料的隐身原理和研究现状,并指出了红外/雷达兼容隐身材料的发展趋势。
2) doping control of semiconductors
半导体掺杂物第
3) Half-doped manganese
半掺杂锰氧化物
4) complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) lowly doped source/drain(LDD) structure
互补金属氧化物半导体低掺杂浓度源/漏结构
6) doped semiconductor
掺杂半导体
1.
Finally,the possibility for using doped semiconductor and nanometer material to achieve infrared and rada.
最后介绍了用掺杂半导体材料和纳米材料实现红外与雷达复合隐身的可能性。
补充资料：氧化物半导体（oxidesemiconductor）
氧化物半导体（oxidesemiconductor）
指具有半导体特性的氧化物。如MnO、Cr2O3、FeO、Fe2O3、CuO、SnO2和ZnO等。大多数氧化物半导体的主要用途是制作热敏电阻，它们的电阻值随温度的变化而显著变化，其电阻的温度系数有正有负或临界温度系数。SnO2、ZnO、Fe2O3等氧化物可用于制造半导体气敏元件，它们对某些可燃性气体、有毒气体非常灵敏，目前已制出探测某些气体（如CO、H2、C3H8和易燃气体等）的气敏检测器、报警器等。近几年发展起来的MgCr2O4-TiO2、ZnO-Li2O-V2O5等多孔结构的金属氧化物，用以制造敏感器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条