1) melt epitaxy(ME)
熔体外延(ME)
2) melt epitaxy
熔体外延
1.
The InAsSb single crystals with a cutoff wavelength of 11μm were succesfully grown on InAs substrates by melt epitaxy.
用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶。
3) epitaxial growth by melting
熔融外延法
4) iron-Me system
铁-Me体系
5) epitaxial gases
外延气体
6) self-propagating in melt
熔体内自蔓延
1.
At the same time the study of thermodynamics and the thermal explosion of the system,the process simulation of self-propagating in melt was carried out by the use of sof
本研究通过用熔体内自蔓延法,制备出原位TiC颗粒增强Ni_3Al钢表面复合涂层。
补充资料：外延（epitaxy）
外延（epitaxy）
外延是一种晶体生长方法，它是在一定条件下使原子规则地排列在单晶衬底上，形成结构完整，与衬底取向相同，并有一定厚度的单晶层的方法。外延技术既可用于生长与衬底材料相同的单晶层（同质外延），亦可用于生长与衬底材料不同的单晶层（异质外延）。由于采用的方法不同，外延又可分为固相外延、液相外延、气相外延和分子束外延等。气相外延普遍应用在硅晶体管、硅集成电路和砷化镓微波器件、砷化镓集成电路的制造中；分子束外延在制备超晶格量子阱结构中有重要作用。
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参考词条