1) MoS2-Zr composite coatings
MoS2-Zr复合薄膜
1.
The pure MoS2 coatings and MoS2-Zr composite coatings were prepared on the surface of cemented carbides YT14 with complex deposited process of medium-frequency magnetron sputtering and multi-arc ion plating.
采用中频磁控溅射技术及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2-Zr复合薄膜。
2) MoS2 /Zr composite coating
MoS2/Zr复合薄膜
1.
The complex deposited process which fitted medium-frequency magnetron sputtering together with multi-arc ion plating,was utilized to prepare the MoS2 /Zr composite coating on the surface of cemented carbides YT14.
采用新型中频磁控溅射技术及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜。
3) MoS_2-based composite coatings
MoS2基复合薄膜
1.
MoS_2-based composite coatings, consisting of Ti or titanium nitride (TiN) in addition to molybdenum disulfide (MoS_2) were synthesized by nano-compound unbalanced plasma plating technique.
实验表明,改进后的MoS2基复合薄膜在机加和成型等领域中具有广泛的应用前景。
4) WS2/MoS2/C Composite Films
WS2/MoS2/C复合薄膜
5) MoS2/WS2 composite film
MoS2/WS2复合薄膜
6) MoS2-Ti coating
MoS2-Ti复合薄膜
1.
The results show that decreasing deposition pressure leads to longer mean free path and enhances resputtering to substrate,which has more effects on MoS2-Ti coating structure and properties.
采用非平衡磁控溅射沉积技术制备MoS2-Ti复合薄膜,研究了沉积压力对薄膜的结构和性能的影响。
补充资料：MOS 试剂
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：一类生产金属氧化物半导体电路专用的化学品，是一种高纯试剂。其纯度要求单项金属离子杂质含 量均在10-7%~10-9%范围内。而更重要的是控制产品内微粒杂质（即尘埃和不溶颗粒）的个数，应当符合美国材料试验学会（ASTM）“0”级标准，即对5~10微米大小的颗粒，每100毫升中最大允许在2700个以下，而对5微米大小的颗粒，要求在304个以下。MOS试剂主要用于大规模、超大规模集成电路的研究和生产。
分子量：
CAS号：
性质：一类生产金属氧化物半导体电路专用的化学品，是一种高纯试剂。其纯度要求单项金属离子杂质含 量均在10-7%~10-9%范围内。而更重要的是控制产品内微粒杂质（即尘埃和不溶颗粒）的个数，应当符合美国材料试验学会（ASTM）“0”级标准，即对5~10微米大小的颗粒，每100毫升中最大允许在2700个以下，而对5微米大小的颗粒，要求在304个以下。MOS试剂主要用于大规模、超大规模集成电路的研究和生产。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条