1) Blue-white dual emission
白蓝光双发射
2) blue emission
蓝光发射
1.
The photoluminescence measurements show that the films have strong blue emission.
从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原
2.
A 430nm blue emission peak was observed.
用脉冲激光沉积法(PLD)在MgO(100)、α Al2O3 (0001)和MgAl2O4 (111)衬底上沉积了ZnO薄膜,测量了它们的发射光谱,观察到 430nm的蓝光发射,并研究了退火、衬底和激发波长对ZnO薄膜这一蓝光发射的影响。
3.
The spectral characterized techniques were used to study the mechanisms of blue emission in undoped n-type GaN.
使用光谱表征技术研究了非掺杂n型GaN的蓝光发射机理 ,给出了 42 7～ 496nm (2 5～ 2 9eV)范围的蓝光的发光模型。
3) blue luminescence
蓝光发射
1.
The Si O Si bond as a defect center which is broken down by the stress at the Si nc/SiO 2 interface is the primary source of blue luminescence.
SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 。
2.
It is found that anodization is the premise of blue luminescence,at the different conditions of which,there will be magnificent transition of the spectra to their height and location as shown that the blue luminescence is superseded by a red emission at increasing anodization.
电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替。
3.
Intense blue luminescence is observed at room temperature.
结果表明 :多孔 β SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性 ;通过改变腐蚀时间 ,可以改变蓝光发射的强度 ,也可以观察到蓝光 红光同时发射的现象 ;降低HF酸的浓度 ,蓝光发射峰明显变弱 ,并对多孔 β SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论 。
4) studying methods
蓝绿光发射
1.
The studying methods of gas liquid two phase flow heat transfer under microgravity is also summanized.
硅基低维材料的可见光发射和ＧａＮ基材料的蓝绿光发射是９０年代半导体薄膜材料发光特性研究的两个新方向。
5) white-light emitting
白光发射
1.
Recently the white-light emitting EL devices are mainly made by two methods.
利用溶胶凝胶法,通过直接掺杂Mn2+获得白光发射且操作工艺简单的纳米ZnS∶Mn荧光粉,使用XRD、UV、PL及FT IR等方法研究了ZnS∶Mn纳米微粒的粒径、结构及荧光特性。
2.
By sol-gel method, Mn and Cu ions were directly doped into ZnS and ZnS-based white-light emitting nanoparticles were obtained.
用溶胶- 凝胶法,在ZnS基质中直接掺杂过渡金属元素Cu ,Mn ,并适当调整Cu ,Mn的掺杂量,获得白光发射且操作工艺简单的纳米ZnS :Cu ,Mn荧光粉,使用XRD ,UV和PL等方法研究了粉粒的粒径、结构及荧光特性。
6) white light emission
白光发射
1.
The achievement of Si-based white light emission is one of the challenging goals in the field of display and lighting technologies.
本论文根据多孔硅(Porous Si，PS)和ZnS的光致发光特性，拟采用多层膜发光的形式根据三基色叠加的原理实现白光发射。
2.
Abstract: The achievement of Si-based white light emission is one of the challenging goals in the field of display and lighting technologies.
本课题根据多孔硅(Porous Si,PS)和ZnO光致发光谱的特征,拟采用多层膜发光的形式实现白光发射。
3.
The typical white light emission is shown at the sample, where the concentration proportion of B2O3 and Ag2O is equal to 7∶3, whose chromaticity coordinates are(x=0.
通过改变基质中Ag2O的含量,能够调整Eu3+/Eu2+比率,从而实现白光发射。
补充资料：白光耀斑
一种罕见的和剧烈的太阳活动现象。太阳耀斑一般通过白光是不能观测到的,只有通过Hα 线和电离钙的H、K线才能观测到。但有时在Hα 线所看到的亮区中的一些更小的区域，通过白光也能看到它的突然增高现象，持续时间大约几分钟，这就是白光耀斑。自1859年卡林顿发现太阳耀斑以来，迄今只观测到30多次白光耀斑。白光耀斑通常与大耀斑对应，大多数也是发射高能粒子流、远紫外射线、硬 X射线（有时还有γ射线）以及强射电爆发的质子耀斑或宇宙线耀斑。白光耀斑的发亮区往往有两块（也有一块或多块的，每块亮区大小约为1013米2量级），其位置与典型的双带耀斑中的双带重合，而且分别位于黑子区磁场中性线（见磁合并）的两边，但靠得很近，形状很像是跨越中性线的磁流管的根部。白光耀斑发生时间与耀斑的闪光相一致,也就和硬X射线、远紫外射线以及微波射电爆发的时间一致。白光亮块消失后，有时在双带耀斑的边缘部位也出现白光增亮。同时，这种白光边缘会以每秒40公里左右的速度运动，这种现象称为白光耀斑波。
白光耀斑的发射机制尚未弄清。白光增亮与太阳脉冲式硬X射线爆发、 太阳远紫外线爆发以及太阳射电爆发几乎同时发生，因此，一般认为白光发射可能是太阳的中层和高层大气（色球和日冕）的耀斑区中由粒子加速过程产生的高能粒子流造成的。很可能是能量在10～100 兆电子伏的粒子流贯穿到太阳低层大气（光球）并与光球的稠密气体碰撞而产生白光发射。
白光耀斑的发射机制尚未弄清。白光增亮与太阳脉冲式硬X射线爆发、 太阳远紫外线爆发以及太阳射电爆发几乎同时发生，因此，一般认为白光发射可能是太阳的中层和高层大气（色球和日冕）的耀斑区中由粒子加速过程产生的高能粒子流造成的。很可能是能量在10～100 兆电子伏的粒子流贯穿到太阳低层大气（光球）并与光球的稠密气体碰撞而产生白光发射。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条