1) Silicon substrate
硅基
1.
The light intensity distribution and development processes during the preparation of two-dimensional patterned silicon substrates by holographic lithography are simulated.
理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形。
2) silicon-based
硅基
1.
Research progress of nanoarrays prepared by silicon-based AAO template method;
硅基AAO模板法制备纳米阵列研究进展
2.
Silicon-based CMOS Photonic Devices Using Carrier Dispersion Effect
载流子色散型硅基CMOS光子器件
3.
Simulated are silicon-based guided-mode resonant grating filters with narrow bandwidth for C-band optical communication.
结合严格耦合波理论和遗传算法对C波段硅基导模共振滤波器进行了模拟分析。
3) Si-based
硅基
1.
Progress on Si-based Near-infrared Light Detectors;
硅基近红外探测器研究进展
2.
With the fast development of Si-based microwave circuit, this paper discussed several Si-based microstrip stru.
本文紧密结合现今普遍应用硅基的趋势,对多种硅基微带结构及其电路应用进行了分析。
4) Si substrate
硅基
1.
55μm InP-InGaAsP quantum-well lasers are fabricated on Si substrates by wafer bonding.
在硅基上成功地制备出了1。
5) Si-substrate
硅基
1.
Study on Si-substrate/polyimide humidity sensing device;
硅基/聚酰亚胺湿度敏感元件研究
6) Siloxysilane
硅氧基硅烷
补充资料：[3-(三乙氧基硅基)丙基]氨基甲酸乙酯
CAS：17945-05-0
分子式：C12H27NO5Si
分子质量：293.43
沸点：90℃
中文名称：[3-(三乙氧基硅基)丙基]氨基甲酸乙酯
英文名称：Carbamic acid, [3-(triethoxysilyl)propyl]-, ethyl ester； [3-(triethoxysilyl)propyl]-carbamic aci ethyl ester； triethoxysilylpropylethylcarbamate； Carbamic acid,[3-(triethoxysilyl)propyl]-,ethyl ester
分子式：C12H27NO5Si
分子质量：293.43
沸点：90℃
中文名称：[3-(三乙氧基硅基)丙基]氨基甲酸乙酯
英文名称：Carbamic acid, [3-(triethoxysilyl)propyl]-, ethyl ester； [3-(triethoxysilyl)propyl]-carbamic aci ethyl ester； triethoxysilylpropylethylcarbamate； Carbamic acid,[3-(triethoxysilyl)propyl]-,ethyl ester
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条