1.
gate oxide integrity
栅极氧化层的完整性
2.
This voltage creates a field across the gate oxide, which causes the adjacent P substrate to invert to N-type.
这一电压在栅极氧化物层上产生一个电场，它导致毗邻的P型衬底转变成N型。
3.
Novel Structure Trench E-JFET with Adding Oxide Region beneath Gate
栅极下加氧化层的新型沟槽栅E-JFET仿真研究
4.
Solution-Processed Zinc Oxide Thin Films and Top-Gate Thin Film Transistors
溶液法制备氧化锌半导体薄膜及其顶栅极晶体管器件
5.
floating gate mos
浮栅金属氧化物半导体
6.
The Optimization of Metal Co Replace Ti in IC Gate Application
金属薄膜钴在栅极取代钛的工艺优化
7.
floating gate silicon process
浮栅硅金属氧化物半导体工艺
8.
stacked gate injection mos
叠栅注入金属氧化物半导体
9.
FGMOS(Floating -Gate Metal-Oxide-Semiconductor)
浮动栅金属氧化物半导体
10.
gate injection mos
栅注入式金属氧化物半导体
11.
v groove mos device
v 槽型栅金属氧化物半导体掐
12.
floating gate transistor
浮栅金属氧化物半导体晶体管
13.
isolated gate mos
绝缘栅金属氧化物半导体
14.
double poly process
双层多晶硅栅金属氧化物半导体工艺
15.
mos insulated gate transistor
绝缘栅金属氧化物半导体晶体管
16.
v groove mos transistor
v 槽型栅金属氧化物半导体晶体管
17.
silicon gate mos process
硅栅金属氧化物半导体工艺
18.
polycrystalline silicon gate mos
多晶硅栅金属氧化物半导体