1) Yb∶YAG crystal
Yb∶YAG晶体
2) (Cr,Yb):YAG crystal
(Cr,Yb)YAG晶体
3) Yb...LYSO crystal
Yb…LYSO晶体
4) Yb∶GAB crystal
Yb∶GAB晶体
1.
So the Yb∶GAB crystal with changeable Yb~(3+) mole fraction could be a good candidate for microchip laser medium.
在发射光谱中,随着Yb3+离子摩尔分数的增加,短波段发射变弱,长波段发射变强,因此,提出了Yb∶GAB晶体中发射光谱的重心波长移动Δλ与Yb3+离子摩尔分数之间的经验关系来定量分析Yb3+离子摩尔分数变化对辐射陷阱的影响;采用稀释法能够很好消除辐射陷阱对发射光谱的影响,而粉末法对于低Yb3+浓度的样品能够比较好地消除辐射陷阱的影响,块状样品直接测量很难消除辐射陷阱的影响。
5) YAG crystal
YAG晶体
1.
The Intermediate Role in Energy Transfer of Tm~(3+) Ions in (Cr, Tm, Ho): YAG Crystal;
(Cr,Tm,Ho):YAG晶体中Tm~(3+)离子的中介能量转移作用
2.
The sensitive action of Yb~(3+) ions on Er~(3+)in YAG crystal.;
YAG晶体中Yb~(3+)对Er~(3+)的敏化作用
3.
On the basis of the theory of facet growth,the temperature gradient and procedure parameters during the course of crystal growth were adjusted correspondingly,by way of which,together with the suitable anneal procedure,the stress birefringence was reduced remarkably in the undoped YAG crystal.
通过对提拉法生长非掺杂YAG晶体应力双折射的产生原因以及小面生长的成因分析,采用调整温场的温度梯度,同时在生长过程中调整工艺参数,并采用适当的退火程序,有效减小了提拉法生长非掺杂YAG晶体的应力双折射。
6) YAG polycrystalline
YAG多晶体
1.
It was observed and analyzed that phase transformation during the solidstate reaction, transparency, densification and microstructure of YAG polycrystalline sintered under different fabrication conditions.
结果表明:Y3+的扩散速率是决定固相反应进程的主要因素,将高活性的Y2O3纳米微粒与Al2O3粉均匀混合,可促进固相反应的完成,使获得YAG透明体的烧结温度降低100～200℃,保温时间也显著缩短;气孔和晶界对光的反射和散射是YAG多晶体透光性降低的主要原因,采用真空烧结可提高YAG烧结体的密度,改善晶体结构的均匀度,有利于提高YAG多晶体的透光性。
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条