2) Low phase noise
低相位噪声
1.
A low phase noise VCO(voltage controlled oscillator)for single chip UHF RFID Reader is proposed.
介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路。
2.
This article introduces an typical application of HMC440 which is an ultra low phase noise floor phase frequency detector produced by HITTITE.
介绍了HITTITE公司一款具有超低相位噪声基底的鉴频鉴相器HMC440在C波段锁相频率合成器中的应用。
3.
A novel method to develop a frequency synthesizer with wide frequency coverage, fast frequency switching speed, and low phase noise is proposed.
提出了一种宽相对覆盖、低相位噪声的捷变频频率合成方法。
3) low-frequency phase aberration
低频位相噪声
1.
Scale length of optics low-frequency phase aberration;
光学元件低频位相噪声的空间尺度
5) phase noise
相位噪声
1.
An optimal design criterion for parameters OFDM systems parameters under phase noise;
相位噪声条件下OFDM系统参数的优化设计
2.
Performance analysis on the spatially correlated MIMO-OFDM systems in the presence of phase noise and channel estimation error;
存在相位噪声和信道估计偏差影响的空相关MIMO-OFDM系统的性能分析
3.
Modified Leeson formula and low phase noise oscillator design;
改进的相位噪声公式与低相位噪声振荡器设计
6) phase-noise
相位噪声
1.
In this thesis, research on the basic scheme of the miniature low phase-noise mm-wave phase-locked frequency synthesizer is presented, and the circuit design and testing of the function component――the X-band low phase-noise single output frequency synthesizer are also given.
本文主要是对毫米波频段的小型化、低相位噪声锁相频率合成源的基本方案进行了研究,并研制了其功能组件——X波段低相位噪声点频源。
补充资料：低噪声微波技术
降低微波接收设备内部噪声的技术。其主要内容是微波低噪声(固态)器件技术和相应的微波电路技术，还涉及低温物理、量子力学等学科。微波波段接收设备的性能主要受其内部噪声的影响，外差式接收机的内部噪声取决于低噪声前端,可用噪声系数F（分贝）、有效噪声温度Te(K)或噪声量度M(分贝)等表征。接收设备的外部噪声取决于天空噪声温度极限，频率范围为0.1～1吉赫的外部噪声主要是银河系噪声;1～10吉赫范围内主要是宇宙背景噪声(3.4K)，10吉赫以上则取决于大气噪声（对外空系统取决于宇宙背景噪声和光子噪声）。前端的有效噪声温度应与具体条件下作用于其输入端的外部噪声温度（主要是天线噪声温度Ta）相当。
研究概况 随着半导体技术的发展，半导体器件以其明显的优越性逐步取代了电子管，因此，低噪声技术基本上就是固态低噪声技术。低噪声技术研究起始于40年代用于雷达的点触式半导体二极管混频器。自1958年变容二极管问世后，60年代起参量放大器（参放）得到广泛应用，同期还相继研制成量子放大器和隧道二极管放大器（隧放）。60年代中期，双极型晶体管的使用频率提高到微波波段,制成了L波段低噪声双极型晶体管放大器。1971年制成了微波砷化镓肖特基势垒栅的场效应晶体管，使低噪声技术进入了一个新的阶段。场效应晶体管放大器在高频率和低噪声方面显著优越于双极型晶体管，迅速取代了隧放和行波管放大器，且有逐步取代参放之势。现代在短毫米波段，二极管混频器几乎是唯一实用的低噪声检测手段。自60年代以来，对利用超导的约瑟夫逊结器件制成低噪声混频器和参放不断进行探索研究，已显示其在亚毫米至远红外波段的优越性（见超导性的微波应用）。
应用 低噪声微波技术在通信、雷达、遥感、电子对抗等系统以及射电天文、精密测量等应用中起着重要的作用。在这些方面，除了低噪声指标之外，往往还须满足功率增益、频带宽度、线性工作范围、脉冲功率容量、抗电磁干扰、抗核辐射，以及适应恶劣环境的能力等技术要求。
性能与水平 80年代前期的微波低噪声器件性能见图。量子放大器在 1～30吉赫频率有最低有效噪声温度(接近宇宙背景温度)，但必须致冷至4K，技术复杂,设备庞大而昂贵,且频带很窄（相对带宽小于 1％）。参放提供常温下最低的有效噪声温度，致冷于20K还可进一步降低,其相对带宽可达20％，但在毫米波段性能和应用因泵源尚难解决而受到限制。在 1吉赫以下，双极型晶体管常用于廉价的放大器,而在1吉赫以上则广泛应用场效应晶体管放大器，它在常温下的噪声性能接近参放,在20K时可与参放媲美。80年代前期，场效应晶体管进入毫米波段（实现60吉赫噪声系数 7.1分贝,相应增益5.5分贝）。场效应晶体管具有稳定性好、线性工作范围大、频带宽（可实现信频程,甚至0～18吉赫的宽带平坦特性）、体积小、致冷简易等优点，但抗烧毁和耐峰值功率的能力比参放约低一个数量级。晶体管放大器适于制作微波集成电路。
研究概况 随着半导体技术的发展，半导体器件以其明显的优越性逐步取代了电子管，因此，低噪声技术基本上就是固态低噪声技术。低噪声技术研究起始于40年代用于雷达的点触式半导体二极管混频器。自1958年变容二极管问世后，60年代起参量放大器（参放）得到广泛应用，同期还相继研制成量子放大器和隧道二极管放大器（隧放）。60年代中期，双极型晶体管的使用频率提高到微波波段,制成了L波段低噪声双极型晶体管放大器。1971年制成了微波砷化镓肖特基势垒栅的场效应晶体管，使低噪声技术进入了一个新的阶段。场效应晶体管放大器在高频率和低噪声方面显著优越于双极型晶体管，迅速取代了隧放和行波管放大器，且有逐步取代参放之势。现代在短毫米波段，二极管混频器几乎是唯一实用的低噪声检测手段。自60年代以来，对利用超导的约瑟夫逊结器件制成低噪声混频器和参放不断进行探索研究，已显示其在亚毫米至远红外波段的优越性（见超导性的微波应用）。
应用 低噪声微波技术在通信、雷达、遥感、电子对抗等系统以及射电天文、精密测量等应用中起着重要的作用。在这些方面，除了低噪声指标之外，往往还须满足功率增益、频带宽度、线性工作范围、脉冲功率容量、抗电磁干扰、抗核辐射，以及适应恶劣环境的能力等技术要求。
性能与水平 80年代前期的微波低噪声器件性能见图。量子放大器在 1～30吉赫频率有最低有效噪声温度(接近宇宙背景温度)，但必须致冷至4K，技术复杂,设备庞大而昂贵,且频带很窄（相对带宽小于 1％）。参放提供常温下最低的有效噪声温度，致冷于20K还可进一步降低,其相对带宽可达20％，但在毫米波段性能和应用因泵源尚难解决而受到限制。在 1吉赫以下，双极型晶体管常用于廉价的放大器,而在1吉赫以上则广泛应用场效应晶体管放大器，它在常温下的噪声性能接近参放,在20K时可与参放媲美。80年代前期，场效应晶体管进入毫米波段（实现60吉赫噪声系数 7.1分贝,相应增益5.5分贝）。场效应晶体管具有稳定性好、线性工作范围大、频带宽（可实现信频程,甚至0～18吉赫的宽带平坦特性）、体积小、致冷简易等优点，但抗烧毁和耐峰值功率的能力比参放约低一个数量级。晶体管放大器适于制作微波集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条