1) online stable inversion
在线稳定逆
1.
Taking the problem of autonomous precise landing as an integration of trajectory tracking and robust control, precise landing control law was designed based on online stable inversion and SMC.
针对着陆过程中动态方程的非最小相位特性,利用在线稳定逆产生用于着陆轨迹精确跟踪的前馈输入和状态参考轨迹。
2) Nonlinear stable inversion
非线性稳定逆
3) on-line stability analysis
在线稳定分析
4) online stability control
在线稳定控制
1.
Based on the theory of large-scale power system and the real-time information of EMS, the mode of hierarchical decision and hierarchical control were adopted in online stability control system of Central China power system.
华中电网在线稳定控制系统以大系统理论和EMS实时信息为基础,采用了分层决策和分层控制的控制模式,实现了全网各稳定控制装置间统一协调,以达到区域性的最佳控制。
5) Unstable inverse
逆不稳定
1.
It can be applied not only to plants with unknown or show time-varying parameters and delays,but also to unstable inverse processes.
它即可用于参数和时滞未知的或慢时变的受控对象，又可用于逆不稳定过程，并能消除控制器的振铃现象，应用范围大为拓广。
6) stable inversion
稳定逆
1.
Combined with a feedback controller, the stable inversion control method was adopted to design the automatic landing control law of a commercial jet airplane.
分析了自动着陆过程的特点,采用稳定逆控制方法并结合反馈控制器设计了大型运输机的自动着陆控制律。
2.
Use stable inversion to accomplish precise decoupling tracking of airspeed and altitude for conventional takeoff and landing of unmanned aerial vehicles (UAVs) is in essence a non-minimum phase output tracking problem.
基于稳定逆解决无人机空速/高度的精确解耦跟踪这一本质为非最小相位输出解耦跟踪的问题。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条