1) non-linear power source
非线性电源
1.
Implementing method of non-linear power source in electric power system block with Matlab
Matlab电力系统模块中非线性电源的实现方法
2) nonlinear / gyroscope power
非线性/陀螺电源
3) Nonlinear Sources
非线性源
1.
This paper discuss the generaler porous medium equations with strongly nonlinear sources and convections terms, we obtain some properties of finite diffusing speed of solutions for the these equations or existence and expansion of interfaces to the non-negtive weak solutions, using the Harnack inequalities for nonnegtive weak solutions to the these e- quations.
本文讨论具有强非线性源与对流项的渗流方程，利用其解的Ｈａｒｎａｃｋ不等式得到弱解的具有限传播速度的性质或正解分界面的存在性与增长性。
4) nonlinear compensating current source
非线性补偿电流源
5) nonlinear source term
非线性源项
1.
In this paper,we obtain an overdeterminede Schwarz method for solving variational inequalities with nonlinear source terms,and establish a convergence theorem.
通过分析解在边界层上的耦合关系,提出一类求解带非线性源项的变分不等式问题的超定Schwarz算法,并分析了算法的收敛性。
2.
In this paper, a kind of nonoverlapping domain decomposition method, for solving variational inequalities with nonlinear source terms, is proposed.
本文将针对含非线性源项的变分不等式问题提出一类多子域非重叠区域分解算法，并给出其收敛性和收敛速度分析。
6) strong nonlinear sources
强非线性源
1.
This paper is devoted to the study of the semilinear heat equations of the form u_t=Δt+min｛ε~(-1),u~p｝ with strong nonlinear sources.
讨论了具强非线性源的半线性热方程ut=△u+m in{-ε1,up}边值问题解的性质,证明了TK(uε)在L2(0,T;W10,2(Ω))中关于ε是一致有界的,且(TK(uε))t在L2(Q)中关于ε是一致有界的,从而存在一子列和一可测函数u(x,t)使得当ε→0时,uε→u a。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条