1) four-circuit lines on the same tower
同塔4回
1.
Surge tests for 500 kV four-circuit lines on the same tower
500kV同塔4回线路真型塔冲击电压的试验研究
2) common tower quadruple circuits
同塔4回线
1.
Based on the multiple-terminal network theory,this paper presents a method for electric parameters calculation and transient simulation analysis when a complicated fault occurs in common tower quadruple circuits.
基于多端口网络理论,提出了同塔4回线发生复杂故障时电气量的计算和暂态仿真分析方法。
3) quadruple-circuit transmission lines on a common tower
同塔4回线路
1.
Parameters computational methods reseach of 220 kV quadruple-circuit transmission lines on a common tower
同塔多回输电线路参数的不平衡会引起系统运行的不平衡、潜供电流以增大,文章结合上海电网实际特点,提出了220kV同塔4回线路的实施模式,并基于卡森模型,应用EMTP程序计算了同塔4回线路的理论计算参数。
4) 500 kV transmission lines adopting four circuits on the same tower
500kV同塔4回路传输线
5) multiple-loop line
同塔多回
1.
This paper focuses on reducing the power frequency magnetic field under the multiple-loop lines in the same tower by optimizing the phase sequence arrangements of the lines.
为了减小同塔多回输电线路的工频电磁场,使其达到最低水平,通过相序优化布置的方法,综合考虑输电线路工频磁场空间最大值极小和平均值极小两个指标,计算与比较两种各回导线均垂直布置的同塔多回输电线路不同相序线路下方工频磁场,给出了各层对称的双回导线均逆相序排列,且相邻两层的下层双回的顶部导线与上层双回底部导线相序相同的最优相序布置规律。
6) triple-circuit tower
三回同塔
补充资料：磁滞回线
图示强磁物质磁滞现象的曲线。它反映这类物质的磁通密度或磁化强度与磁场强度的关系。
当一种强磁物质的磁性状态改变时，磁化强度滞后于磁场强度，这种现象称为磁滞。
在原处于磁中性状态的强磁物质中施加外磁场，它就被磁化。随着外磁场强度H 的逐渐增大，物质中的磁化强度J将沿起始磁化曲线a增大，当磁化强度增大到Js以后,H 继续增加，磁化强度就不再增加了,这种状态称为磁饱和。上述过程如图中曲线 Oab段所表示。
如果强磁材料饱和后，使磁场强度从大于Hs的值逐渐减小至零，磁化强度随之减小至Jr，磁化状态由图中的b点转移到c点。当磁场强度由零逐渐变至-Hs时，J由Jr减小，最后达到反向饱和值-Js,磁化状态由图中的c点沿cde段磁化曲线达到e点。此后当使H由-Hs变至Hs时，磁化强度由-Js变至Js,磁化状态如图中的e点沿efgb回到b点。在以上过程中,J-H 平面上表示磁化状态的点的轨迹形成一个对原点对称的回线，称为饱和磁滞回线。
饱和磁滞回线上H＝0时,J 的值(即其在J 轴的截距的大小)称为剩余磁化强度Jr,也就是剩余磁通密度Br；在J＝0时, H 的值(即其在H 轴的截距的大小)称为关于磁化强度的矫顽力HCJ;在B＝0时, H 的值称为关于磁通密度的矫顽力HCB。根据磁滞回线可以由HCJ,HCB中的任一个求出另一个。一般HCJ≥HCB。对有理想矩形磁滞回线的材料HCJ＝HCB。
如果磁场强度在±Hm间缓慢变化，Hm＜Hs，则对应每-Hm值，经多次反复磁化后,磁化状态沿一条不饱和的对称的磁滞回线进行。这样便可在不同的Hm值下测得一族磁滞回线。 Hm愈小的磁滞回线,其剩磁和矫顽力也愈小。
当一种强磁物质的磁性状态改变时，磁化强度滞后于磁场强度，这种现象称为磁滞。
在原处于磁中性状态的强磁物质中施加外磁场，它就被磁化。随着外磁场强度H 的逐渐增大，物质中的磁化强度J将沿起始磁化曲线a增大，当磁化强度增大到Js以后,H 继续增加，磁化强度就不再增加了,这种状态称为磁饱和。上述过程如图中曲线 Oab段所表示。
如果强磁材料饱和后，使磁场强度从大于Hs的值逐渐减小至零，磁化强度随之减小至Jr，磁化状态由图中的b点转移到c点。当磁场强度由零逐渐变至-Hs时，J由Jr减小，最后达到反向饱和值-Js,磁化状态由图中的c点沿cde段磁化曲线达到e点。此后当使H由-Hs变至Hs时，磁化强度由-Js变至Js,磁化状态如图中的e点沿efgb回到b点。在以上过程中,J-H 平面上表示磁化状态的点的轨迹形成一个对原点对称的回线，称为饱和磁滞回线。
饱和磁滞回线上H＝0时,J 的值(即其在J 轴的截距的大小)称为剩余磁化强度Jr,也就是剩余磁通密度Br；在J＝0时, H 的值(即其在H 轴的截距的大小)称为关于磁化强度的矫顽力HCJ;在B＝0时, H 的值称为关于磁通密度的矫顽力HCB。根据磁滞回线可以由HCJ,HCB中的任一个求出另一个。一般HCJ≥HCB。对有理想矩形磁滞回线的材料HCJ＝HCB。
如果磁场强度在±Hm间缓慢变化，Hm＜Hs，则对应每-Hm值，经多次反复磁化后,磁化状态沿一条不饱和的对称的磁滞回线进行。这样便可在不同的Hm值下测得一族磁滞回线。 Hm愈小的磁滞回线,其剩磁和矫顽力也愈小。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条