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1)  analytical threshold model
解析阈值电压模型
2)  2D threshold voltage model
二维阈值电压模型
1.
The 2D threshold voltage model of DMOS devices is proposed.
提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 。
3)  threshold voltage shift model
阈值电压漂移模型
4)  threshold voltage
阈值电压
1.
Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET;
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究
2.
Analytical threshold voltage model for fully depleted SOI MOSFETs;
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
3.
2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects;
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
5)  Voltage threshold
电压阈值
6)  threshold model
阈值模型
补充资料:地理阈值

亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分,把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上,地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中,常把地理阈值等同于地理系统边界条件,但二者是有区别的:如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时,地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移;而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时,地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值,还是过渡性转移的地理阈值,都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的,都是在地理阈值约束下的解。

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