1) drain extended MOS
扩展漏端MOS
2) high-voltage double diffused drain MOSFET
高压双扩散漏MOS晶体管
3) Terminal expanded
扩展端
4) ECP Extended Capabilities Port
扩展端口
5) source/drain extension region
源/漏扩展区
6) source and drain extension
源漏扩展区
1.
Polysilicon doped heavily is introduced as solid phase diffusion source to realize ultra shallow source and drain extensions.
1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 。
补充资料：扩展
分子式：
CAS号：
性质：单纯形优化法中推移单纯形的一种基本操作之一。当以试验中效果最坏的实验点作为基点，将其沿基点经单纯形的形心点的延长线作等距离反射时，若在反射点的试验效果在各实验点中最好，这时可使用更大的步长推移单纯形，此种操作称为扩展。
CAS号：
性质：单纯形优化法中推移单纯形的一种基本操作之一。当以试验中效果最坏的实验点作为基点，将其沿基点经单纯形的形心点的延长线作等距离反射时，若在反射点的试验效果在各实验点中最好，这时可使用更大的步长推移单纯形，此种操作称为扩展。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条