1) Defect simulation
缺陷仿真
2) simulation pitfall
仿真陷阱
3) real defect
真实缺陷
1.
However,real defects exhibit a great variety of shapes.
然而,真实缺陷的形状多种多样。
2.
However,the shape of 70% real defects approximates elliptical shapes.
比较了新模型与真实缺陷及其圆模型引起的成品率损失,表明新模型在成品率估计方面更加精确。
3.
However,real defects exhibit a great variety of shapes.
本文提出了矩形缺陷轮廓的成品率模型,该模型与圆模型相比,考虑了缺陷的二维分布特性,接近真实缺陷形状及IC版图布线和成品率估计的特点。
4) IC real defect image
IC真实缺陷图像
1.
Color segmentation of IC real defect image;
IC真实缺陷图像的分色
5) defects
[英][di'fekt] [美][dɪ'fɛkt]
缺陷
1.
Research on flux mixture defects in ingot of wrought magnesium alloy;
变形镁合金铸锭中熔剂夹渣缺陷的研究
2.
Defects Distribution and Control of Semi-solid Aluminum Alloy (A356) Parts in Thixoforming Process;
A356铝合金半固态触变成形件的缺陷分布及控制
3.
Inspecting defects inside impeller of electric submersible pump by fluid pressure loss measurement method;
流体压力损失法检测电潜泵叶轮缺陷的研究
6) defect
[英][di'fekt] [美]['di,fɛkt, dɪ'fɛkt]
缺陷
1.
The difference and relation between the defect of 1-D photonic crystal and F-P cavity on optical path;
一维光子晶体的缺陷与F-P腔
2.
Analysis of Defects in Friction Stir Welding of Aluminum Alloy;
铝合金搅拌摩擦焊焊接过程缺陷分析
3.
Effect of guiding angle on metal flow and defects in extrusion deformation;
导流角对挤压变形中金属流动与缺陷的影响
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条