线性预测滤波器,adaptive linear prediction error filter,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) adaptive linear prediction error filter 点击朗读

线性预测滤波器

A new method for ARM detection Based on adaptive linear prediction error filter and subsection dechirp is proposed.

先利用线性预测滤波器抑制掉强载机信号,然后利用分段解线调法估计ARM信号的调频斜率参数和起始频率参数。

2) Nonlinear forecast filter 点击朗读

非线性预测滤波器

3) Nonlinear predictive filter 点击朗读

非线性预测滤波

4) linear prediction inverse filter 点击朗读

线性预测反滤波

5) prediction filter 点击朗读

预测滤波器

Therefor, Spitz(1991) presented a trace interpolation approach in t x domain to conquer spatial alias, and its mathematical elementary is unit step prediction filtering technique.

最近 ,在 Spitz工作的基础上 ,Porsani( 1 999年 )提出了一种半步长预测滤波技术 ,它可以将原来用于求解预测滤波器系数的两组复杂的复线性系统方程简化为一组更为简单的复线性系统方程 ,从而大大降低了运算工作量。

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6) predictive filter 点击朗读

预测滤波器

The attitude determination with Global Position System (GPS) can be realized using a predictive filter based on the double difference of the carrier phase.

采用预测滤波器 ,利用全球定位系统的双差相位观测量实现载体姿态估计。

The paper presents a new method to design a predictive filter which suits to analyze non-stationary data.

从三次样条函数入手,提出一种新的适合非平稳数据分析的预测滤波器设计方法。

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补充资料：半导体非线性光学材料

半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。

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参考词条

预测滤波预滤波器非线性滤波器线性相位滤波器

非线性预测反滤波线性滤波器预测误差滤波器小波线性滤波器

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 线性预测滤波器 1) adaptive linear prediction error filter 线性预测滤波器 1. A new method for ARM detection Based on adaptive linear prediction error filter and subsection dechirp is proposed. 先利用线性预测滤波器抑制掉强载机信号,然后利用分段解线调法估计ARM信号的调频斜率参数和起始频率参数。 2) Nonlinear forecast filter 非线性预测滤波器 3) Nonlinear predictive filter 非线性预测滤波 4) linear prediction inverse filter 线性预测反滤波 5) prediction filter 预测滤波器 1. Therefor, Spitz(1991) presented a trace interpolation approach in t x domain to conquer spatial alias, and its mathematical elementary is unit step prediction filtering technique. 最近 ,在 Spitz工作的基础上 ,Porsani( 1 999年 )提出了一种半步长预测滤波技术 ,它可以将原来用于求解预测滤波器系数的两组复杂的复线性系统方程简化为一组更为简单的复线性系统方程 ,从而大大降低了运算工作量。更多例句>> 6) predictive filter 预测滤波器 1. The attitude determination with Global Position System (GPS) can be realized using a predictive filter based on the double difference of the carrier phase. 采用预测滤波器 ,利用全球定位系统的双差相位观测量实现载体姿态估计。 2. The paper presents a new method to design a predictive filter which suits to analyze non-stationary data. 从三次样条函数入手,提出一种新的适合非平稳数据分析的预测滤波器设计方法。更多例句>> 补充资料：半导体非线性光学材料半导体非线性光学材料 semiconductor nonlinear optical materials 载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条预测滤波预滤波器非线性滤波器线性相位滤波器

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