说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> PTAT基准电流源
1)  PTAT current reference
PTAT基准电流源
1.
The sensitivity of the PTAT current reference to Vdd is approximately 0.
PTAT基准电流源对电源变化的灵敏度为0。
2)  PTAT current source
PTAT电流源
3)  PTAT current
PTAT电流
1.
Based on the analysis of the great effect caused from temperature on the reliability and the stability of Switch Power Supply Chips, a Proportional to Absolute Temperature current-PTAT current is used to design an original over-temperature protection circuit.
在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上,利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理,设计了一种新颖的过温保护电路。
2.
According to the analysis of current and voltage temperature-characteristic of NMOS transistor,the gate-source voltage of two similar diode-connected NMOS transistor biased with two different PTAT current source is able to obtain different temperature coefficient.
在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源。
3.
High temperature sensitivity is realized,using the composite temperature characteristics between transistor′s PN junction and the PTAT current.
5μm CMOS工艺设计了一种带热滞回功能的高精度温度保护电路,利用晶体管PN结和PTAT电流相反的温度特性,极大地提高了温差鉴别的灵敏度。
4)  PTAT bandgap reference
PTAT带隙基准
5)  current reference
电流基准源
1.
Design of a current reference with curvature temperature compensation;
基于曲率补偿的电流基准源的设计
2.
The high performance current source are discussed for analog bipolar and BiCMOS circuits through comparing typical current references in circuit structures,temperature character and so on.
通过比较几种典型的电流基准源在电路结构、温度特性等方面的优缺点,研究了双极/BiCMOS工艺的电流基准源设计技术。
3.
A new low temperature coefficient current reference with curvature compensation is presented.
针对目前集成电路中对高精度基准电流模块的高度需求,通过采用曲率补偿技术,设计了一种低温度系数(TC)的电流基准源;电路基于0。
6)  current reference
基准电流源
1.
Based on a method of temperature compensation,a novel super performance CMOS current reference circuit is presented.
基于温度补偿的方法设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用0。
2.
A super performance CMOS current reference circuit with temperature compensation is presented.
采用温度补偿技术设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用N阱CMOS工艺实现。
补充资料:PTA
分子式:C8H6O4
分子量:166.13
CAS号:100-21-0

性质:白色针状结晶或粉末。可燃。低毒。密度1.510,常压下约在402℃升华,若在密闭容器中加热,可于425℃熔化。溶于碱溶液,微溶于热乙醇,不溶于水、乙醚、冰醋酸和氯仿。

制备方法:工业上采用最广、最经济的生产方法,是以对二甲苯为原料的高温液相氧化法。对苯二甲酸的其他生产方法还有对二甲苯低温氧化法、苯酐转位法、甲苯氧化歧化法等。1.对二甲苯高温氧化法对二甲苯以乙酸为溶剂,以乙酸钴-乙酸锰为催化剂,以四溴乙烷为助催化剂,于221-225℃,2.5-3.0MPa下氧化生成对苯二甲酸。对苯二甲酸在乙酸中溶解度不大,氧化产物呈泥浆状,经离心分离、干燥后即得粗对苯二甲酸。其中最有害的杂质是对羧基苯甲醛,含量1000-5000ppm。将粗品在280-290℃、约7MPa压力下溶解于水中,然后在把催化剂存在下进行加氢处理,除去对羧基苯甲酸,经结晶、过滤、洗涤、干燥,即得纤维级对苯二甲酸。2.对二甲苯低温氧化法原料对二甲苯在醋酸溶剂中,以醋酸钴(或醋酸锰)及溴化物为催化剂,以三聚乙醛为氧化促进剂,在100-130℃温度和3MPa压力下,用空气一步低温氧化,反应产物用醋酸洗涤,然后干燥得产品对苯二甲酸。

用途:该品绝大部分用于生产聚对苯二甲酸乙二酯(聚酯),是聚酯纤维、薄膜、塑料制品、绝缘漆及增塑剂的重要原料,也用于医药、染料及其他产品的生产。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条